[发明专利]一种双面钝化的MWT太阳电池及其制造方法

权利要求书

1.一种双面钝化的MWT太阳电池，包括硅基体（1）、发射极电极（2）以及基极电极（3），硅基体（1）正表面设有扩散掺杂层（4），位于扩散掺杂层（4）上方设有SiNx减反层（5），其特征是：所述的SiNx减反层（5）与扩散掺杂层（4）之间设有正表面介质膜层（6），硅基体（1）背表面的铝层表面上设有背表面介质膜层（7），背表面介质膜层（7）的外表面设有背表面掩膜层（8），基极电极（3）位于背表面掩膜层（8）的外表面上。

2.根据权利要求1所述的双面钝化的MWT太阳电池，其特征是：所述的正表面介质膜层（6）的厚度为5～30nm。

3.根据权利要求1所述的双面钝化的MWT太阳电池，其特征是：所述的背表面介质膜层（7）的厚度为5～30nm。

4.根据权利要求1所述的双面钝化的MWT太阳电池，其特征是：所述的背表面掩膜层（8）的厚度为50～200nm。

5.一种权利要求1所述的双面钝化的MWT太阳电池的制造方法，其特征是：包括以下步骤：

a、硅基体（1）抛光：采用机械、碱或者酸抛光工艺，对硅基体（1）表面抛光；

b、单面沉积阻挡层：采用化学气相沉积或原子层沉积的方式沉积介质膜；

c、从硅基体（1）正表面向硅基体（1）背表面采用激光打通孔；

d、沿着以通孔为中心，去除掩膜层，用于形成硅基体（1）正面、背面以及通孔内部的扩散掺杂层（4）；

e、采用制绒工艺对硅基体（1）制绒，并去除激光损伤层；

f、通过掺杂工艺对硅基体（1）进行扩散掺杂，在硅基体（1）正面、通孔及背面通孔周边区域形成PN结；

g、磷硅玻璃去除，选用稀氢氟酸溶液去除硅基体（1）正面及通孔的磷硅玻璃以及步骤b中形成的掩阻挡层；

h、在硅基体（1）背表面进行沉积处理，形成厚度为5～30nm的背表面介质膜层（7），在背表面介质膜层（7）上沉积处理，形成厚度为50～200nm的背表面掩膜层（8）；

i、在硅基体（1）正表面进行沉积处理，形成厚度为5～30nm的正表面介质膜层（6），正表面介质膜层（6）上沉积，形成SiNx减反层（5）；

j、硅基体（1）正、背表面采用丝网印刷和烧结方式，在硅基体（1）正、背表面及通孔形成发射极电极（2），在硅基体（1）背表面形成基极电极（3）。