[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括：

在具有隔离区域和有源区域的衬底上形成浮置栅极；

形成与所述浮置栅极的形状一致的介电层；

在所述衬底上形成导电层以形成控制栅极，所述控制栅极覆盖所述浮置栅极和所述介电层；

在所述导电层的一侧上形成光刻胶图案；

所述控制栅极形成为间隔物形式以包围所述浮置栅极的侧面，所述控制栅极的形成包括对所述导电层实施回蚀到直到暴露所述浮置栅极上的所述介电层的一部分；以及

在所述控制栅极的一侧上形成与多个接触塞连接的多晶硅焊盘，所述多晶硅焊盘的形成包括移除所述光刻胶图案，

其中所述控制栅极与所述有源区域隔离开并且所述接触塞接触所述控制栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述控制栅极和所述多晶硅焊盘彼此连接。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多晶硅焊盘位于所述控制栅极的倾斜部分的端部处。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述多晶硅焊盘包括形成在所述控制栅极的倾斜部分上的多晶硅突出物。

5.一种非易失性存储器件，包括：

具有隔离区域和有源区域的衬底；

在所述衬底上的浮置栅极；

具有间隔物形式的控制栅极，所述控制栅极包围所述浮置栅极的侧面；以及

在所述控制栅极的一侧上的多晶硅焊盘，多个接触塞连接到所述多晶硅焊盘，

其中所述多晶硅焊盘是与所述隔离区域交叠的，

其中所述控制栅极与所述有源区域隔离开并且所述接触塞接触所述控制栅极。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，还包括：

在所述控制栅极与所述多晶硅焊盘之间的多晶硅突出物。

7.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，其中所述控制栅极与所述浮置栅极间隔开并且包围所述浮置栅极。

8.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，还包括：

在所述控制栅极上的硅化物层，所述硅化物层设置为减小所述控制栅极的电阻。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器件，还包括：

在所述衬底上的栅极绝缘层，所述控制栅极在所述栅极绝缘层上。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器件，还包括：

在所述栅极绝缘层的中心处的隧道绝缘层，所述隧道绝缘层的厚度小于所述栅极绝缘层的厚度。

11.根据权利要求10所述的非易失性存储器件，还包括：

在所述浮置栅极上的硬掩模。

12.根据权利要求11所述的非易失性存储器件，其中所述控制栅极的高度小于或等于所述硬掩模与所述浮置栅极合并的高度，以及

其中所述控制栅极的所述高度大于所述浮置栅极的高度。

13.根据权利要求11所述的非易失性存储器件，还包括：

在所述控制栅极与所述浮置栅极之间的介电层。

14.根据权利要求13所述的非易失性存储器件，其中所述介电层包括侧壁氧化物层、高压氧化物层、以及在所述侧壁氧化物层与所述高压氧化物层之间的侧壁氮化物层，所述侧壁氧化物层接触所述浮置栅极的一个侧面。

15.根据权利要求13所述的非易失性存储器件，其中所述介电层包括含有氧化物层、氮化物层和氧化物层的ONO堆叠体。

16.根据权利要求13所述的非易失性存储器件，其中所述介电层包括其中氧化铝层和氧化铪层交替沉积的高k氧化物堆叠体。

17.根据权利要求14所述的非易失性存储器件，其中所述高压氧化物层由与所述栅极绝缘层相同的材料形成，以及

其中所述高压氧化物层的厚度小于所述栅极绝缘层的厚度。

18.根据权利要求14所述的非易失性存储器件，还包括：

在所述控制栅极的其它侧面上的低掺杂漏极(LDD)间隔物。

19.根据权利要求14所述的非易失性存储器件，还包括：

覆盖所述浮置栅极、所述控制栅极和所述介电层的无边界接触(BLC)层。

20.根据权利要求19所述的非易失性存储器件，其中所述无边界接触层、所述高压氧化物层以及所述侧壁氮化物层彼此接触，

其中所述侧壁氮化物层接触所述硬掩模，以及

其中所述高压氧化物层的侧面接触所述硅化物层和所述控制栅极。