[发明专利]一种双面异质结太阳电池及制备方法

权利要求书

1.一种双面异质结太阳电池，包括硅片基体层（1），其特征是：所述硅片基体层（1）背面从内到外依次具有本征层（2）、重掺杂BSF层（3）以及背电极（4），硅片基体层（1）的正面具有平行设置呈倾斜状的槽体（5），槽体（5）斜面上分别设有本征硅薄膜（6）和p型硅薄膜层（7），在p型硅薄膜层（7）上设有作为正面电极的透明导电薄膜（10），透明导电薄膜（10）和槽体（5）底面上分别设有薄膜减反层（8），硅片基体层（1）表面还具有与透明导电薄膜（10）电性连接的银浆层（9）。

2.根据权利要求1所述的双面异质结太阳电池，其特征是：所述的槽体（5）的侧面斜度为45°，槽体（5）底面宽度为10μm，槽体（5）深度为80μm。

3.根据权利要求1所述的双面异质结太阳电池，其特征是：所述的硅片基体层（1）的厚度为150～300μm，重掺杂BSF层（3）的厚度为10～50nm，背电极（4）的厚度为1～3μm，本征硅薄膜（6）的厚度为5～10nm，p型硅薄膜层（7）的厚度为5～30nm。

4.根据权利要求1所述的双面异质结太阳电池，其特征是：所述的背电极（4）材料为金属铝膜或导电薄膜。

5.根据权利要求1所述双面异质结太阳电池的制备方法，其特征是：具有以下步骤：

1）采用厚度为150～300μm的n型单晶硅片作为衬底的硅片基体层（1），并对硅片基体层（1）表面进行常规清洗；

2）在硅片基体层（1）背面采用PECVD沉积本征层（2），在本征层（2）表面沉积一层重掺杂BSF层（3），厚度为10～50nm，同时形成可改善载流子输送的背面场BSF；

3）在重掺杂BSF层（3）表面采用磁控溅射方式沉积厚度为1～3μm金属铝膜或导电薄膜作为背电极（4）；

4）在硅片基体层（1）正面采用激光刻槽方式制备平行的倾斜状的槽体（5）；

5）对槽体（5）内进行常规化学清洗，并在槽体（5）内采用PECVD或HWCVD或LPCVD方法依次沉积本征硅薄膜（6）和p型硅薄膜层（7）；

6）利用湿法刻蚀法对槽体（5）底部的p型硅薄膜层（7）进行刻蚀去除，保留槽体（5）斜面上的p型硅薄膜层（7）；

7）在p型硅薄膜层（7）上采用磁控溅射沉积透明导电薄膜（10），然后在透明导电薄膜（10）上采用丝网印刷技术制备低温银浆层（9），并在低于200℃条件下烘干形成电极；

8）在硅片基体层（1）正面其他区域采用PECVD法结合掩膜技术沉积薄膜减反层（8），得到异质结太阳电池。