[发明专利]一种CMOS器件及其形成方法

权利要求书

1.一种CMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成N阱和P阱，在所述N阱和P阱交接处形成浅沟道隔离；

在所述N阱上形成多个PMOS元件，所述P阱上形成一个或多个NMOS元件；其中，形成PMOS元件和NMOS元件的工艺包括：在所述N阱及P阱上形成栅极结构；紧靠所述N阱上的栅极结构形成N区侧墙；紧靠所述P阱上的栅极结构形成P区侧墙；

在所述N阱中形成锗硅层，且所述锗硅层位于相邻两个PMOS元件之间。

2.如权利要求1所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括多晶硅体块及位于所述多晶硅体块上的氮化硅体块。

3.如权利要求2所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，形成栅极结构的工艺包括如下步骤：

沉积多晶硅层和氮化硅掩膜层，所述多晶硅层覆盖所述衬底，所述氮化硅掩膜层覆盖所述多晶硅层；

刻蚀所述氮化硅掩膜层形成氮化硅体块；

刻蚀所述多晶硅层形成多晶硅体块。

4.如权利要求1所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，在形成栅极结构之后，形成N区侧墙之前，还包括如下步骤：

形成ONO层，所述ONO层覆盖所述衬底及栅极结构；

形成光阻层，所述光阻层覆盖P阱上的ONO层。

5.如权利要求4所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，在形成N区侧墙后，形成硅锗层之前，包括如下步骤：

去除所述光阻层。

6.如权利要求4所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述ONO层包括：

第一氧化层；

氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述第一氧化层；及

第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述氮化硅层。

7.如权利要求6所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，形成N区侧墙的工艺包括如下步骤：

刻蚀去除N阱上的第二氧化层；

刻蚀N阱上的氮化硅层和第一氧化层形成N区侧墙。

8.如权利要求6或7所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，形成硅锗层的工艺包括如下步骤：

刻蚀所述N阱形成沟槽，所述沟槽位于相邻的PMOS元件之间；

刻蚀去除P阱上的第二氧化层；

在所述沟槽内沉积硅锗形成硅锗层。

9.如权利要求8所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，在形成硅锗层之后，还包括：刻蚀P阱上的氮化硅层和第一氧化层形成P区侧墙。

10.一种如权利要求1~9中的任一项所述的CMOS器件的形成方法所形成的CMOS器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括N阱和P阱；

位于所述N阱和P阱交接处的浅沟道隔离；

形成于所述N阱上的多个PMOS元件，形成于所述P阱上的一个或多个NMOS元件；

位于所述N阱中且位于相邻两个PMOS元件之间的硅锗层。