[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成一阻挡层；

在所述阻挡层上形成一嵌段共聚物层；

对所述嵌段共聚物层进行退火处理，形成间隔排列的第一材料层和第二材料层；

去除所述第一材料层，暴露出部分阻挡层；

去除所述暴露出的部分阻挡层形成通孔；

在所述通孔内形成纳米硅量子点。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成阻挡层之前，还包括如下工艺步骤：

形成一栅氧化层，所述栅氧化层位于所述衬底上。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述嵌段共聚物层的厚度为100~1000埃。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述嵌段共聚物层的材料为PS-b-PMMA。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一材料层为PMMA层，所述第二材料层为PS层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述PMMA层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺为采用乙酸并经紫外光照射的工艺。

8.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除所述暴露出的部分阻挡层形成通孔之后，在通孔内形成纳米硅量子点之前，还包括如下工艺步骤：

去除所述PS层，暴露出余下部分阻挡层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用氧等离子体去除所述PS层。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述通孔内形成纳米硅量子点的工艺包括如下步骤：

在所述通孔内形成纳米硅量子点材料层；

平坦化所述纳米硅量子点材料层形成纳米硅量子点。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述通孔内形成纳米硅量子点之后，还包括如下工艺步骤：

去除所述暴露出的余下部分阻挡层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用均一腐蚀法和化学机械研磨工艺平坦化所述纳米硅量子点。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述暴露出的部分阻挡层。

14.一种利用如权利要求1~13中的任一项所述的半导体结构的形成方法制得的半导体结构，其特征在于，包括：衬底，形成于所述衬底上的纳米硅量子点。