[发明专利]P型超结横向双扩散MOSFET器件

权利要求书

1.一种P型超结横向双扩散MOSFET器件，包括N型衬底重掺杂区及N型外延漂移区，其特征在于：

N型外延漂移区位于N型衬底重掺杂区之上；

所述N型外延漂移区中具有元胞区和终端区，在器件的俯视平面上，终端区位于元胞区外圈将元胞区环绕包围；

剖视平面上，所述元胞区中具有两个P型半绝缘柱区，终端区中更具有多个P型半绝缘柱区，在终端区中均匀分布；

所述的多个P型半绝缘柱区，其底部还均具有第一P型掺杂区，以及顶部均具有第二P型掺杂区；

元胞区中，两个P型半绝缘柱区之间有一个沟槽，所述沟槽内壁表面形成有栅氧化膜，沟槽内填充多晶硅形成栅极；

所述沟槽的两侧与P型半绝缘柱区之间的区域均形成阱区，在阱区上部形成源区，源区和阱区通过接触孔连接地电位。

2.如权利要求1所述的P型超结横向双扩散MOSFET器件，其特征在于：所述P型半绝缘柱区是单一材料，或者是半导体绝缘材料和绝缘材料的复合结构。

3.如权利要求2所述的P型超结横向双扩散MOSFET器件，其特征在于：所述P型半绝缘柱区是半导体绝缘材料和绝缘材料的复合结构时，半导体绝缘材料位于靠外延漂移区一侧。

4.如权利要求1所述的P型超结横向双扩散MOSFET器件，其特征在于：所述接触孔是穿透源区直接与阱区接触，使阱区和源区共用接触孔；或者是停止在源区，通过额外的P型孔注入，形成与阱区的接触。

5.如权利要求1所述的P型超结横向双扩散MOSFET器件，其特征在于：所述终端区其表面或者是形成有场氧、多晶硅或金属场板；其远离元胞区方向的外侧或者是形成有场截止环；其P型半绝缘柱区之间或包含P型半绝缘柱区的区域不排除设计有P型浅注入。

6.如权利要求1所述的P型超结横向双扩散MOSFET器件，其特征在于：所述第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的掺杂浓度为P型半绝缘柱区的2～5倍，且杂质是均匀分布或在水平方向上呈中间浓两侧淡的分布。