[发明专利]触控感测结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210206899.3 申请日: 2012-06-21
公开(公告)号: CN103034355A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 陈维钏;郭晓文 申请(专利权)人: 杰圣科技股份有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;G06F3/044
代理公司: 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 代理人: 艾晶;周春发
地址: 中国台湾台南*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 触控感测 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明为一种触控感测结构及其制造方法,提供一种可提升触控面板光学性能与灵敏度的触控感测结构,并且可大幅提升触控感测结构的生产良率。

背景技术

按,目前坊间的触控面板(Touch Panel)的触控输入方式,包括有电阻式、电容式、光学式、电磁感应式、音波感应式等;其中,电阻式及电容式是藉由使用者以手指或感应笔对面板表面进行触碰,而于受触碰位置的面板内部产生电容值的变化,据以侦测出面板表面所接受触碰的位置,以达到触控感测的目的。

且知,为了要侦测出使用者以手指或感应笔触碰于触控板上的位置,业者研发出各种不同的电容式触碰感测结构。习知的电容式触控面板的感应电极系由复数感测结构排列而成的感测数组,其中各感测结构多以氧化铟锡(ITO)为材料设计为具有规则形状(例如:钻石图形)的感测单元,由于感测结构大多由ITO所制成。当ITO阻抗较大时,将导致触碰感测结构的信号传递灵敏度难以提升。大多数软性导电基材的ITO面阻值均在150欧姆/平方以上,由于软性导电基材所使用的基板多为塑料材质,例如PET,其耐热温度均无法与玻璃基材比拟,而无法使用高温退火方式将ITO结晶化,使得软性导电基材的面阻值无法下降。然而在玻璃基板上的ITO虽然可使用高温退火制程来结晶化,以降低ITO面阻值,但生产制程却也是相当耗时与耗能。

而另种习知的电容式触控面板的感应电极系为复数金属线构成的金属网状感测结构,相较于ITO该金属材质的网状感测结构的阻抗较低;惟,在这样的设计中,容易因金属线因制程上产生断线的问题,而使感测结构的电性连接中断,而导致断路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种触控感测结构及其制造方法,可提升触控面板的光学性能与灵敏度,并且提高触控面板生产良率。

为达成上述的目的,本发明提供一种触控感测结构,包括:透明基材;透明导电层,位于透明基材之上,透明导电层设有复数感测结构;导电辅助结构,位于复数感测结构,导电辅助结构用以提升复数感测结构的导电度;复数填补结构,位于复数感测结构之间,辅助导电结构位于复数填补结构之上,其中复数感测结构与复数填补结构电性开路;以及复数周边线路,分别与感测结构电性连接,复数周边线路供连接软性电路板。

为达成上述的目的,本发明的触控感测结构,其中导电辅

助结构为网状结构,该网状结构至少由复数第一线路和复数第二线路交织而成,每一第一线路和每一第二线路的大小范围在20μm以下。

为达成上述的目的,本发明的触控感测结构,其中复数感测结构具有沿一第一方向延伸的复数感测串行,该些第一线路位于该些感测串行表面且沿该第一方向延伸,该些第二线路位于该些感测串表面且沿一第二方向延伸,该些第一线路与该些第二线路相互交错,每一第二线路由该些第一线路间断而形成复数线段,其中每一线路的线宽在20μm以下。

为达成上述的目的,本发明的触控感测结构,其中导电辅助结构为矩阵排列结构,由复数单元所组成,其中每一单元的大小范围在20μm以下。

为达成上述的目的,本发明的触控感测结构,其中该导电辅助结构为一随机网点结构,由复数网点所组成,其中网点为随机数分布且每一网点的大小范围在20μm以下。

为达成上述的目的,本发明的触控感测结构,其中该导电辅助结构为金属导电材质。

为达成上述的目的,本发明的触控感测结构,更具有复数填补结构设置于复数感测结构之间,辅助导电结构位于复数填补结构之上。

为达成上述的目的,本发明的触控感测结构的制造方法,包括:提供透明基材;形成透明导电层于透明基材之上;形成导电层于透明导电层之上;图案化导电层,形成导电辅助结构;以及图案化导电层以及透明导电层,形成具有导电辅助结构于其上的复数感测结构和复数填补结构,其中复数填补结构位于复数感测结构之间,复数感测结构与复数填补结构电性开路,复数周边线路分别与复数感测结构电性连接,复数周边线路供连接软性电路板,导电辅助结构用以提升复数感测结构的导电度。

为达成上述的目的,本发明的触控感测结构的制造方法,其中导电辅助结构为网状结构,网状结构至少由复数第一线路和复数第二线路交织而成,每一第一线路和每一第二线路的大小范围在20μm以下。

为达成上述的目的,本发明的触控感测结构的制造方法,其中导电辅助结构为矩阵排列结构,由复数单元所组成,其中每一单元的大小范围在20μm以下。

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