[发明专利]一种低压差分信号传输接收器

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种低压差分信号传输接收器。

背景技术

现有的传统模拟信号传输器具有以下缺点:

(1)大于128位宽的总线已经很难管理；

(2)频率>133MHz以上传输更为困难；

(3)未解决EMI（电磁干扰）问题；

(4)连接线等附件代价很大；

低电压差分信号(LVDS)是一种小振幅差分信号技术，是由原美国国家半导体公司提出，目前已经成为行业标准的一种串行高速信号传输协议。低电压差分信号使用非常低的幅度信号（约350mV）通过一对差分PCB走线或平衡电缆传输数据。低电压差分信号同时也是一中高性能多任务I/O接口标准，具有低功耗，高速度，抗外界噪声干扰，低电磁干扰辐射和安全性好的特点。低电压差分信号被认为是除应用在平板显示外，还能应用在高速商用芯片信号传输领域而受到广泛重视。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种低压差分信号传输接收器能接收1.125V～1.375V的共模电压输入范围，按照LVDS协议能实现2Gbps的传速速率。

为解决上述技术问题，本发明的低压差分信号传输接收器，包括：

一接收器（REC）和一外接并联所述接收器的100Ω电阻（R1）；其中，所述接收器（REC）包括三级顺序相连的比较电路（comp1～comp3）；

第一级比较电路（comp1），能实现1.125V～1.375V共模电压输入范围和交叉耦合的信号整形，具有两输入端（a、b）接收输入信号，两输出端（c、d）输出信号到第二级比较电路（comp2）；第一级比较电路（comp1）输入端（a、b）作为接收器（REC）的输入端；

第二级比较电路（comp2），具有两输入端（i、j）分别连接第一级比较电路（comp1）的输出端（c、d），具有两输出端（k、l）；

第三级比较电路（comp3），具有两输入端（q、r）分别连接第二级比较电路（comp2）的输出端（k、l）,具有两输出端（s、t），第三级比较电路（comp3）输出端（s、t）作为接收器（REC）的输出端；

第二级比较电路（comp2）、第三级比较电路（comp3），在高速信号下进一步恢复第一级比较电路（comp1）的不完整信号，整体实现对第一比较电路（comp1）的宽共模输入接收，全摆幅信号恢复和信号整形。

其中，第一级比较电路（comp1）包括：具有偏置电路的轨到轨差分输入比较器（A），其具有14个NMOS管（N1～N14），17个PMOS管（P1～P19）和电阻（R2）；

NMOS管（N1～N7）的源极接电源(vdda)，NMOS管（N8～N12）源极分别依次对应接NMOS管（N3～N7）漏极，NMOS管（N13、N14）源极接NMOS管（N10）漏极；

NMOS管（N1、N2）栅极相连，NMOS管（N3、N5～N7）栅极相连，NMOS管（N4、N8～N12）栅极相连；

NMOS管（N1）栅漏短接，其栅极接PMOS管（P1）漏极；NMOS管（N2）漏极接PMOS管（P2）漏极和PMOS管（P1、P2）栅极；NMOS管（N8）漏极接NMOS管（N3）栅极和PMOS管（P5）漏极；NMOS管（N9）栅漏短后接PMOS管（P6）漏极；NMOS管（N11）漏极接PMOS管（P11、P12、P14）漏极和PMOS管（P12、P13）栅极;NMOS管（N12）漏极接PMOS管（P13、P15、P16）漏极和PMOS管（P14、P15）栅极;NMOS管（N13）漏极接PMOS管（P7、P9）漏极和PMOS管（P7、P8、P16）栅极；NMOS管（N14）漏极接PMOS管（P8、P10）漏极和PMOS管（P9、P10、P11）栅极；

PMOS管（P1）源极接PMOS管（P3）漏极；PMOS管（P2）源极接PMOS管（P4）漏极和PMOS管（P3～P6）栅极；PMOS管（P3）源极通过电阻（R2）接地（gnd），PMOS管（P4～P17）源极接地(gnd)；PMOS管（P18、P19）源极接PMOS管（P17）漏极；

PMOS管（P18）漏极接NMOS管（N6）漏极，PMOS管（P19）漏极接NMOS管（N7）漏极；