[发明专利]单GM计数管宽量程辐射探测方法

权利要求书

1.单GM计数管宽量程辐射探测方法包括电压控制与剂量率计算两部分。

2.权利要求1的方法进一步包括：GM计数管两端的电压控制方法及高压控制电路。

3.权利要求2进一步包括以开关三极管为开关元件、从三极管发射极、基极或集电极取脉冲信号的控制电路。

4.权利要求2进一步包括采用三极管、场效应管、达林顿管、IGBT管、可控硅及其组合作为开关元件的高压控制电路。

5.权利要求2进一步包括电阻R1~R8及电容C1中的一个或多个为可调元件，或等效参数为0Ω的电阻、0F的电容或无电容C1，或由多个电子元件并联或串联实现的电路。

6.权利要求2进一步包括L点较低电压由电阻分压或单独电源提供的方法。

7.权利要求2进一步包括在附图2电路上的任意点连接其它辅助电路的控制电路。

8.电压控制部分为电路硬件产品，包括由分立元件、集成电路、ASIC及其混合组成的电路构成权利要求1~7的任何一项的电路。

9.权利要求1进一步包括由式（1）计算平均计数率及采用分段插值法计算剂量率的方法，以及先对计数率或剂量率取对数或其它函数后的分段插值方法。

10.剂量率计算部分为一种计算机软件产品，包括计算机存贮于可读介质上的编码形式与运行于DSP、FPGA、CPLD、ASIC、单片机等上的可编程软、硬件代码执行权利要求1和9的任何一项方法。