[发明专利]等离子体辅助的沉积方法和用于执行该方法的设备

权利要求书

1.一种等离子体辅助的沉积方法，用于将至少一个介电质层沉积在一个含硅的基片（3）上，该方法具有以下步骤：

向一个沉积设备（1）中供应至少一种适合用于产生该介电质层的气体；

在至少一个第一波长或谱带上监测该气体的、在该沉积设备（1）中产生的发射强度；

取决于在该至少一个第一波长或谱带上监测的发射强度，产生一个信号；

将该信号传输给至少一个控制装置（4，10）；

取决于该信号，通过该控制装置（4，10）来控制至少一个影响该沉积的过程参数和/或该基片（3）到该沉积设备（1）中的供应。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当该信号低于或高于一个预定的阈值时，控制该至少一个过程参数和/或该基片（3）向该沉积设备中的供应。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该预定的阈值形成了与一个预定的发射强度相比约至少10%的偏离。

4.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

在至少一个第二波长或谱带上监测在该沉积设备（1）中产生的发射强度；并且

取决于在该至少一个第一波长或谱带以及该至少一个第二波长或谱带上所监测到的发射强度来产生该信号。

5.如权利要求4所述的方法，其中该至少一个第二波长或谱带具有与该至少一个第一波长或谱带最大200mm的间距。

6.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于，在取决于所监测到的发射强度来产生该信号时，由所监测到的这些发射强度形成了一个商。

7.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

当该信号低于或高于该预定的阈值时，通过该控制装置（4，10）来停止该介电质层在该基片（3）上的沉积和/或该基片（3）向该沉积设备（1）中的输送。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，

在通过该控制装置（4，10）进行的停止之后，调节该至少一个过程参数；

继续在基片（3）上沉积该介电质层和/或向该沉积设备（1）中供应该基片（3）；

在至少一个第一波长或谱带上监测在该沉积设备（1）中产生的发射强度；

取决于所监测到的发射强度来产生一个信号；

将该信号传输给至少一个控制装置（4，10）；

取决于该信号，通过该控制装置（4，10）来控制至少一个影响该沉积的过程参数和/或该基片（3）向该沉积设备（1）中的供应。

9.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于，

在通过该控制装置（4，10）进行停止时，输出一个警告信号。

10.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，至少一个介电质层在该基片（3）上的沉积包括沉积多个层，并且该至少一个第一波长或谱带、该任选的预定阈值和该任选的至少一个第二波长或谱带分别是依赖于有待沉积的层而选择的。

11.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，该控制至少一个过程参数的步骤包括控制一种成层前体向该沉积设备中的供应。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，该前体是三甲基铝，并且该处理气体是氧气或者一种含氧的分子气体；和/或该前体是硅烷，并且该处理气体是氨或者一种由氮气和氢气组成的混合物。

13.如以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，该至少一个第一波长或谱带是巴耳末系列的氢谱线H-α（656.3nm）或者巴耳末系列的氢谱线H-β（486.1nm）或者在777nm的氧谱线O（2s²2p³(⁴S⁰)3s->2s²2p³(⁴S⁰)3p）。

14.一种太阳能电池生产方法，该方法具有如以上权利要求中任一项所述的等离子体辅助的沉积方法。

15.一种适合用于在含硅基片（3）上沉积至少一个介电质层的设备，该设备包括：

一个用于沉积至少一个层的沉积设备（1）；

至少一个供应装置（11，12），用于供应至少一种适合于产生该介电质层的气体；

一个用于供应该基片（3）的移动装置；

一个监测装置，用于在至少一个第一波长或谱带上监测在该沉积设备（1）中产生的发射强度；

用于取决于在至少一个第一波长或谱带上监测到的发射强度来产生一个信号的一个装置（9）；以及

至少一个控制装置（4，10），用于控制至少一个影响该沉积作用的过程参数和/或控制该基片（3）对该沉积设备（1）的加载。