[发明专利]采用共形掺杂的图像传感器沟槽隔离有效
| 申请号： | 201210207827.0 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN103094290A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 赖志育;杜友伦;黄志辉;吴政达;蔡嘉雄;陈昆仑 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 掺杂 图像传感器 沟槽 隔离 | ||
1.一种半导体图像传感器器件，包括：
衬底；
第一像素和第二像素，设置在所述衬底中，所述第一像素和所述第二像素是相邻像素；
隔离结构，设置在所述衬底中以及所述第一像素和所述第二像素之间；以及
掺杂隔离器件，设置在所述衬底中以及所述第一像素和所述第二像素之间，其中，所述掺杂隔离器件以共形方式围绕所述隔离结构。
2.根据权利要求1所述的半导体图像传感器器件，其中，所述第一像素和所述第二像素均包括掺杂辐射感应区。
3.根据权利要求2所述的半导体图像传感器器件，其中，所述掺杂隔离器件和所述掺杂辐射感应区具有不同的掺杂极性。
4.根据权利要求1所述的半导体图像传感器器件，其中，所述第一像素的深度和所述第二像素的深度小于所述隔离结构的深度。
5.根据权利要求1所述的半导体图像传感器器件，其中，所述隔离结构包含介电材料。
6.根据权利要求1所述的半导体图像传感器器件，其中，所述隔离结构包括深沟槽隔离(DTI)器件。
7.根据权利要求1所述的半导体图像传感器器件，其中，所述半导体图像传感器器件是背照式(BSI)图像传感器器件。
8.根据权利要求1所述的半导体图像传感器器件，其中，所述半导体图像传感器器件是前照式(FSI)图像传感器器件。
9.一种半导体图像传感器器件，包括：
衬底；
多个辐射感应区，形成于所述衬底中，所述辐射感应区具有第一掺杂极性；
多个深沟槽隔离(DTI)器件，形成在所述衬底中，其中，每对相邻的辐射感应区均通过相应的所述DTI器件之一相互分隔开；以及
多个掺杂区，形成在所述衬底中，并且具有与所述第一掺杂极性相反的第二掺杂极性，其中，每个DTI器件均以共形方式被相应的所述掺杂区之一围绕。
10.一种制造半导体图像传感器器件的方法，包括：
在半导体衬底中形成开口；
在所述衬底中采用固相掺杂工艺和气相掺杂工艺之一形成掺杂区，其中，以共形方式形成围绕所述开口的所述掺杂区；
用介电材料填充所述开口；以及
在所述衬底中形成第一辐射感应区和第二辐射感应区，其中，在所述开口的相对侧上形成所述第一辐射感应区和所述第二辐射感应区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
