[发明专利]氧化锌锡薄膜及制备方法、薄膜晶体管及制备方法

权利要求书

1.氧化锌锡薄膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）制备前驱体溶液

将锌的前驱体材料、锡的前驱体材料2-乙基己酸亚锡C₁₆H₃₀O₄Sn、助溶剂溶解于溶剂中，充分搅拌使其充分溶解，得到前驱体溶液；

（2）制备薄膜

将步骤（1）制备的前驱体溶液在无定形材料形成的涂布面上涂布成薄膜；

（3）热处理

将步骤（2）形成的所述薄膜经热处理程序得到氧化物半导体薄膜，所述的热处理程序采用20至80℃/min的升温速率从起始温度上升到预设温度，并恒温处理，得到氧化锌锡薄膜。

2.根据权利要求1所述的氧化锌锡的制备方法，其特征在于：所述锌的前驱体材料选自以下物质的一种或若干种：醋酸锌Zn（OOCCH₃）₂、硝酸锌Zn(NO₃)₂、氯化锌ZnCl₂。

3.根据权利要求1或2所述的氧化锌锡的制备方法，其特征在于：所述助溶剂选自以下物质的一种或若干种：乙醇胺H₂NCH₂CH₂OH、二乙醇胺HN(CH₂CH₂OH)₂、三乙醇胺N(CH₂CH₂OH)₃。

4.根据权利要求1至3任一所述的氧化锌锡的制备方法，其特征在于：所述溶剂选自以下物质的一种或若干种：乙二醇单甲醚CH₃OCH₂CH₂OH、丙二醇单甲醚CH₃OCH₂CH₂CH₂OH、丁二醇单甲醚CH₃OCH₂CH₂CH₂CH₂OH。

5.根据权利要求1至4任一所述的氧化锌锡的制备方法，其特征在于：所述起始温度为室温~200℃。

6.根据权利要求1至5任一所述的氧化锌锡的制备方法，其特征在于：所述预设温度为400~500℃，所述恒温处理的时间为20min以上。

7.根据权利要求1至6任一所述的氧化锌锡的制备方法，其特征在于：所述锌的前驱体材料、2-乙基己酸亚锡、助溶剂的摩尔比为1:1:3~1:1：7。

8.根据权利要求1至7任一所述的氧化锌锡的制备方法，其特征在于：所述锌的前驱体材料和2-乙基己酸亚锡的总摩尔浓度为0.3~0.5mol/L。

9.权利要求1至8任一所述的制备方法制备的氧化锌锡薄膜。

10.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用权利要求9所述氧化物半导体薄膜作为半导体层。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用底接触式晶体管结构。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用氧化铝作为栅介质层。

13.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用顶接触式晶体管结构，所述薄膜晶体管采用氧化铝作为栅介质层。

14.权利要求10所述的薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

第一步：对ITO导电玻璃进行刻蚀、超声清洗、烘干；

第二步：在进行第一步处理后的ITO导电玻璃上制备栅介质层或者按照权利要求1-8任一所述的制备方法制备ZTO半导体层；

第三步：按照权利要求1-8任一所述制备方法在所述栅介质层上制备ZTO半导体层或者在所述ZTO半导体层上制备栅介质层；

第四步：在所述ZTO半导体层上制备源、漏电极或者在所述栅介质层上制备栅电极，之后封装得到薄膜晶体管。