[发明专利]高性能纳米晶磁芯

权利要求书

1.一种高性能纳米晶磁芯，采用如下步骤制备：

1）对利用快速冷却方法制得的铁基非晶薄带进行热处理，将其转变成纳米晶薄带；其中，铁基非晶薄带质量百分比为：3～15%Ni，1～10%Si，1～4%B，1～9%Al，余量为Fe；

2）对所述纳米晶薄带进行破碎得到纳米晶金属粉末；

3）对所述纳米晶金属粉末进行球磨整形；

4）对所述纳米晶金属粉末进行筛选，然后混合成由90%～98%的通过-200筛目的第一粉末和2%～10%的通过-150～+200筛目的第二粉末组成的粉末颗粒分布；

5）将混合的纳米晶金属粉末再与粘接剂混合，通过压制成型磁芯；并将所述成型的磁芯进行退火，然后用绝缘树脂涂布所述磁芯。

2.根据权利要求1所述的一种高性能纳米晶磁芯，其特征在于，所述步骤1）中的铁基非晶薄带热处理在500～700℃下、在惰性气体中进行1～3小时。

3.根据权利要求1所述的一种高性能纳米晶磁芯，其特征在于，所述步骤5）中的粘接剂为硅酸钠，添加浓度为3～8wt‰。

4.根据权利要求1所述的一种高性能纳米晶磁芯，其特征在于，所述步骤5）中的磁芯热处理在500～700℃下、在氢气和氮气的混合气体中进行1～3小时。

5.根据权利要求4所述的一种高性能纳米晶磁芯，其特征在于，所述氢气和氮气的混合气体质量比为：氢气5～15%，余量为氮气。