[发明专利]一种熔融共混制备聚合物基导电复合材料的方法无效

专利信息
申请号: 201210208506.2 申请日: 2012-06-25
公开(公告)号: CN102690528A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 王勇;陈杰;杨静晖;张楠;黄婷;周祚万 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: C08L101/00 分类号: C08L101/00;C08L69/00;C08L55/02;C08L51/00;C08L23/12;C08L77/02;C08L51/06;C08L23/06;C08L23/08;H01B1/24;C08K9/00;C08K9/02;C08K7/00
代理公司: 成都中亚专利代理有限公司 51126 代理人: 王岗
地址: 610031 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 熔融 制备 聚合物 导电 复合材料 方法
【权利要求书】:

1.一种熔融共混制备聚合物基导电复合材料的方法,其特征在于:其步骤是:

1)原料的选择:

a、选取碳纳米管、石墨或者炭黑作为导电填料;

b、选择两种聚合物作为聚合物基体材料,其中所选聚合物一和聚合物二是化学性质不相容的聚合物;

c、选择能有效分布在聚合物一和聚合物二的界面的两相增容聚合物;

2)导电填料的处理:对碳纳米管、石墨进行煅烧或酸化处理;

3)熔融共混:将处理后的导电填料先与增容聚合物熔融共混,冷却固化后制得母料,再将所制得的母料与聚合物一和聚合物二按一定质量比例为1-5:45-60:40-55熔融共混,冷却固化后即得聚合物基导电复合材料。

2.根据权利要求1所述的熔融共混制备聚合物基导电复合材料的方法,其特征在于:所述的碳纳米管的直径为0.5-200 nm,长度为100nm-50 μm的单壁或多壁管。

3.根据权利要求1所述的熔融共混制备聚合物基导电复合材料的方法,其特征在于:所述的石墨为直径500 nm-1μm,长度3μm-30μm的多片层或单片层石墨。

4.根据权利要求1所述的熔融共混制备聚合物基导电复合材料的方法,其特征在于:所述的炭黑的直径为35-100nm,比表面积1000-2000 m2/g 的粒状填料。

5.根据权利要求1所述的熔融共混制备聚合物基导电复合材料的方法,其特征在于:所述的将导电填料碳纳米管或石墨煅烧的具体参数为温度600-1000 ℃,时间1-6 h。

6.根据权利要求1所述的熔融共混制备聚合物基导电复合材料的方法,其特征在于:所述的将导电填料碳纳米管或石墨酸化处理的为:利用硫酸、硝酸或磷酸进行处理,温度为60-80 ℃,时间为4-24 h,反应结束后抽滤干燥,干燥时间为6-24 h。

7.根据权利要求1所述的熔融共混制备聚合物基导电复合材料的方法,其特征在于:所述的处理后的导电填料与增容聚合物熔融共混为,温度为增容聚合物的熔融或者软化温度以上20-40 ℃,共混时间为5-20 min;导电填料与增容聚合物的质量比例为1-20:100。

8.根据权利要求1所述的熔融共混制备聚合物基导电复合材料的方法,其特征在于:将所述的母料与聚合物一和聚合物二熔融共混的条件是:比较聚合物一和聚合物二的熔融或软化温度,将较高者的熔融或软化温度以上20-40 ℃作为共混温度,共混时间为5-20 min,聚合物一、聚合物二与导电填料的质量比例为1-5:45-60:40-55。

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