[发明专利]一种实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器有效
申请号: | 201210208573.4 | 申请日: | 2012-06-19 |
公开(公告)号: | CN102709811A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 刘建国;刘宇;黄宁博 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/14 | 分类号: | H01S5/14;H01S5/068 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 实现 频率 锁定 分布 反馈 外腔窄线宽 半导体激光器 | ||
1.一种实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器,其特征在于,包括在光路上依次设置的半导体激光器(a)、准直透镜(b)、偏振棱镜(c)、第一1/4波片(d)、F-P标准具(e)、第1/4波片(f)、前腔面反射镜(g)、隔离器(h)、聚焦透镜(i)和光纤(j)。
2.根据权利要求1所述的实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器,其特征在于,所述半导体激光器(a)选用分布反馈半导体激光器,或者选用分布布拉格反射(DBR)半导体激光器。
3.根据权利要求2所述的实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器,其特征在于,所述半导体激光器(a)的左端面入光口镀高反射膜,右端面出光口镀增透膜。
4.根据权利要求1所述的实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器,其特征在于,所述准直透镜(b)的前后端面均镀有增透膜,以避免反射。
5.根据权利要求1所述的实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器,其特征在于,为避免反射,所述偏振棱镜(c)在前后端面均镀有增透膜,或者略微倾斜一个角度。
6.根据权利要求1所述的实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器,其特征在于,所述F-P标准具(e)两端面均镀有高反膜,以实现高Q值滤波器。
7.根据权利要求6所述的实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器,其特征在于,所述F-P标准具(e)的腔长,使其自由光谱范围达到50GHz或100GHz,且透射波长与ITU-T标准波长匹配。
8.根据权利要求1所述的实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器,其特征在于,为避免反射,所述第一1/4波片(d)和所述第二1/4波片(f)均镀有增透膜;
当线偏振光经过第一1/4波片(d)后,变成圆偏振光,如果光波中心波长与所述F-P标准具(e)的透射波长不匹配时,圆偏振光将被所述F-P标准具(e)的第一个端面反射,再次经过第一1/4波片(d)后,变为线偏振光,偏振方向与原来垂直,从而经过所述偏振棱镜(c)后,光路改变90度出射,不会注入到所述半导体激光器(a),此时也没有光输出;
如果光波中心波长与所述F-P标准具(e)透射波长对准时,圆偏振光透过所述F-P标准具(e),经过第一1/4波片(f)后,变成与原偏振方向垂直的线偏振光,再经过所述前腔面反射镜(g)后反射,沿原光路返回,分别经过所述第二1/4波片(f)、所述F-P标准具(e)和所述第一1/4波片(d)后,变成线偏振光,且与原振动方向一致,经过所述偏振棱镜(c)和所述准直透镜(b)后,注入所述半导体激光器(a)。
9.根据权利要求1所述的实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器,其特征在于,所述前腔面反射镜(g)左侧端面镀有一定比例的反射膜,在右侧镀有增透膜。
10.根据权利要求1、2或3所述的实现频率自锁定的分布反馈外腔窄线宽半导体激光器,其特征在于,该分布反馈外腔窄线宽半导体激光器或者是将光在其左侧输出,在右侧实现反馈锁定,此时该分布反馈外腔窄线宽半导体激光器左侧耦合输出结构为一准直透镜、一隔离器、一聚焦透镜和一耦合输出光纤。
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