[发明专利]一种改善服务器主板谐振区的方法无效
申请号: | 201210208708.7 | 申请日: | 2012-06-25 |
公开(公告)号: | CN102750415A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 党杰 | 申请(专利权)人: | 浪潮电子信息产业股份有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250014 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 服务器 主板 谐振 方法 | ||
1.一种改善服务器主板谐振区的方法,其特征在于,包括如下步骤:
S10:远场实测服务器,初步分析辐射源,以确定与主板谐振区有关的辐射源;
S11:运行SIwave软件,进行谐振区的仿真,获得谐振模式图,找出谐振最强的区域;
S12:对比实测数据,添加端口,仿真S参数曲线;
S13:根据S参数曲线,选择合适的去耦电容并进行添加;
S14:再次运行谐振模式仿真和S参数仿真,并进行前后对比分析,确认效果。
2.如权利要求1所述改善服务器主板谐振区的方法,其特征在于:在步骤S11中,把主板layout文件导入SIwave软件,选定网络端口区域,进行电容参数、频率范围等初始化设置,运行谐振仿真模式,SIwave软件通过求解齐次麦克斯韦方程得到2D谐振模式。
3.如权利要求2所述改善服务器主板谐振区的方法,其特征在于:还包括如下步骤:
在步骤S11中获得的谐振最强区域添加一个S端口,运行扫频分析功能,得到S参数曲线。
4.如权利要求3所述改善服务器主板谐振区的方法,其特征在于:在步骤S13中,根据S参数曲线,根据辐射超标最严重的谐振点,选择谐振频率在这个谐振点的频率值附近的去耦电容。
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