[发明专利]制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法

权利要求书

1.一种制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法，包括：

步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层，氮化镓LED层包括非故意掺杂氮化镓层，N型氮化镓层，量子阱层和p型氮化镓层；

步骤2：在外延结构表面的p型氮化镓层上沉积金属层；

步骤3：将外延结构和金属层转移到衬底上，形成基片；

步骤4：用激光剥离方法，将外延结构中的蓝宝石衬底从外延结构中分离；

步骤5：将基片放入溶液99中进行腐蚀，在外延结构的氮化镓LED层的非故意掺杂氮化镓层一面形成分立的微纳金字塔结构；

步骤6：将硅胶涂覆在微纳金字塔结构的表面；

步骤7：用等离子体技术，将微纳金字塔结构尖端部分的硅胶去除，保留微纳金字塔结构底部的硅胶；

步骤8：在微纳金字塔结构的表面沉积透明导电层；

步骤9：在透明导电层上通过光刻方法沉积图形金属电极，完成制备。

2.根据权利要求1所述的制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法，其中所述的金属层包括：Au、Sn、AuSn合金、Ni、Ag或Pt，或及其组合。

3.根据权利要求1所述的制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法，其中所述的衬底包括：Si、Cu、W、Ni或CuW，或及其组合。

4.根据权利要求1所述的制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法，其中所述的溶液99为：KOH溶液或H₃PO₄溶液。

5.根据权利要求1所述的制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法，其中所述的硅胶为：A胶、B胶或AB混合胶，涂覆硅胶的方法包括旋涂或喷涂。

6.根据权利要求1所述的制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法，其中所述的等离子体是采用O₂等离子体或N₂等离子体，等离子体处理时间为1-20分钟，等离子体功率为10W-200W。

7.根据权利要求1所述的制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法，其中所述的透明导电层为：ZnO、ITO或石墨烯。

8.根据权利要求1所述的制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法，其中所述的金属层为：Ni、Ag、Pt、Au、Al或Ti，或及其组合。

9.根据权利要求1所述的制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法，其中微纳金字塔结构的腐蚀深度到达金属层的表面。