[发明专利]侧墙结构的制作方法无效
| 申请号： | 201210208908.2 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102709167A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 李全波;张瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 制作方法 | ||
1.一种侧墙结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极；
形成初始氧化层，所述初始氧化层覆盖所述半导体衬底和栅极的表面；
对栅极两侧的初始氧化层进行厚度剪裁工艺，形成厚度小于所述初始氧化层厚度的侧墙氧化层，栅极顶部和半导体衬底表面的氧化层作为保护层；
形成氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述侧墙氧化层和保护层的表面；
进行刻蚀工艺，去除位于保护层表面的氮化硅层和位于侧墙氧化层表面的部分氮化硅层，所述侧墙氧化层和栅极两侧剩余的氮化硅层构成侧墙结构。
2.如权利要求1所述的侧墙结构的制作方法，其特征在于，所述初始氧化层的厚度范围为45～55埃，所述侧墙氧化层的厚度范围为10～20埃，所述氮化硅层的厚度范围为65～75埃，所述侧墙氧化层两侧剩余的氮化硅层的厚度范围为35～45埃，所述侧墙结构的厚度范围为50～60埃。
3.如权利要求1所述的侧墙结构的制作方法，其特征在于，所述厚度裁剪工艺利用等离子体刻蚀工艺进行，所述等离子体刻蚀工艺的气体为CF4和O2气体混合气体，CF4和O2气体的流量比的范围为2∶1～5∶1，偏置功率为0，等离子体刻蚀工艺的腔室压力为30～70mTorr，工艺时间为10～25秒。
4.如权利要求1所述的侧墙结构的制作方法，其特征在于，所述初始氧化层利用低压化学气相沉积工艺制作。
5.如权利要求1所述的侧墙结构的制作方法，其特征在于，所述氮化硅层的刻蚀工艺采用等离子体刻蚀工艺进行，包括：
利用CF4气体形成等离子体对氮化硅层进行刻蚀，去除的氮化硅层的厚度为18～22埃；
利用CF4、O2、惰性气体的混合气体对氮化硅层进行刻蚀，所述CF4和O2的流量比范围为1∶1～4∶1，刻蚀时间为10～15秒；
采用CH3F和O2的混合气体进行刻蚀所述CH3F和O2的流量比范围为1∶1～3∶1，刻蚀时间为20～30秒。
6.如权利要求1所述的侧墙结构的制作方法，其特征在于，所述氮化硅层利用炉管工艺制作。
7.如权利要求1所述的侧墙结构的制作方法，其特征在于，还包括：清洗步骤，去除所述厚度剪裁工艺形成的聚合物和颗粒物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
