[发明专利]CMP垫清洁装置

权利要求书

1.一种化学机械抛光(CMP)工具，包括：

工件载具，被配置成容纳工件；

抛光垫，位于被配置成绕着旋转轴旋转的滚筒上；以及

修整垫，被配置成修整所述抛光垫的表面以改善抛光性能；

两相清洁元件，位于所述修整垫的下游和所述工件载具的上游，所述两相清洁元件包括：

第一清洁元件，被配置成从所述抛光垫的表面去除缺陷；以及

第二清洁元件，被配置成从所述抛光垫的表面去除残留物。

2.根据权利要求1所述的CMP工具，还包括：

第一流体源，通过第一导管连接至所述第一清洁元件并且被配置成向所述第一清洁元件提供第一流体。

3.根据权利要求2所述的CMP工具，其中，所述第一清洁元件包括扇型喷嘴布局，所述扇型喷嘴布局在所述抛光垫的表面上方提供均匀的能量分布。

4.根据权利要求2所述的CMP工具，其中，所述第一清洁元件包括兆频超声波清洁喷射件，所述兆频超声波清洁喷射件包括：

兆频超声波能量源，被配置成将兆频超声波能量传送至所述第一流体；以及

多个喷嘴，被配置成对所述抛光垫的表面施加所述第一流体，其中，所述第一流体利用兆频超声波能量来移出嵌入所述抛光垫的表面中的颗粒。

5.根据权利要求1所述的CMP工具，还包括：

第二流体源，通过第二导管连接至所述第二清洁元件并且被配置成向所述第二清洁元件提供第二流体；以及

第三流体源，通过第三导管连接至所述第二清洁元件并且被配置成向所述第二清洁元件提供第三流体。

6.根据权利要求5所述的CMP工具，其中，所述第二清洁元件包括高压流体喷射件，所述高压流体喷射件包括多个喷嘴，所述多个喷嘴被配置成向所述抛光垫施加包含所述第二流体和所述第三流体的混合物的双流体雾。

7.一种化学机械抛光(CMP)工具，包括：

工件载具，被配置成容纳半导体工件；

抛光垫，位于被配置成绕着旋转轴旋转的滚筒上；

修整元件，包括面向所述抛光垫的顶面并且被配置成修整所述抛光垫的顶面以改善机械抛光性能的金刚石磨粒修整垫；

兆频超声波清洁元件，被配置成从所述抛光垫去除缺陷；以及

高压流体喷射件，被配置成向所述抛光垫的表面施加高压双流体雾以去除残留物。

8.根据权利要求7所述的CMP工具，还包括：

第一流体源，通过第一导管连接至所述兆频超声波清洁元件并且被配置成向所述兆频超声波清洁元件提供第一流体。

9.根据权利要求7所述的CMP工具，还包括：

第二流体源，通过第二导管连接至所述高压流体喷射件并且被配置成向所述高压流体喷射件提供第二流体；以及

第三流体源，通过第三导管连接至所述高压流体喷射件并且被配置成向所述高压流体喷射件提供第三流体。

10.一种用于清洁化学机械抛光垫的方法，包括：

使工件接触到所述化学机械抛光垫的表面以对所述工件实施化学机械抛光；

操作垫修整元件以修整所述化学机械抛光垫；

操作第一清洁元件以从所述化学机械抛光垫的表面移出缺陷；以及

操作第二清洁元件以从所述化学机械抛光垫的表面去除残留物。