[发明专利]一种调整氮化硅折射率的方法无效
| 申请号： | 201210208995.1 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102709164A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调整 氮化 折射率 方法 | ||
1.一种调整氮化硅折射率的方法，其特征在于，所述调整氮化硅折射率的方法包括：
执行步骤S1：提供衬底，所述衬底用于支撑所述基准氮化硅薄膜；
执行步骤S2：基准氮化硅薄膜的制备，在所述衬底上沉积所述基准氮化硅薄膜，且所述基准氮化硅薄膜具有统一的折射率；
执行步骤S3：通过紫外光照射所述基准氮化硅薄膜以进行折射率调整。
2.如权利要求1所述的调整氮化硅折射率的方法，其特征在于，所述沉积方式为PVD或CVD工艺。
3.如权利要求1所述的调整氮化硅折射率的方法，其特征在于，所述折射率调整的方法为对所述基准氮化硅薄膜进行紫外光照射，并根据所述氮化硅薄膜的预设折射率要求控制所述紫外光照射条件。
4.如权利要求3所述的调整氮化硅折射率的方法，其特征在于，所述紫外光照射条件为温度、时间、压力中的一种或者几种。
5.如权利要求1～4任一权利要求所述的调整氮化硅折射率的方法，其特征在于，所述基准氮化硅薄膜的沉积温度为300～500℃。
6.如权利要求1～4任一权利要求所述的调整氮化硅折射率的方法，其特征在于，所述紫外光照射的温度为300～500℃。
7.如权利要求1～4任一权利要求所述的调整氮化硅折射率的方法，其特征在于，所述紫外光照射的波长范围为200～400nm。
8.如权利要求1～4任一权利要求所述的调整氮化硅折射率的方法，其特征在于，所述紫外光照射的时间为10～1000s。
9.如权利要求1～4任一权利要求所述的调整氮化硅折射率的方法，其特征在于，所述预设折射率的要求根据后续制程而定。
10.如权利要求9所述的调整氮化硅折射率的方法，其特征在于，所述后续制程为光刻工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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