[发明专利]NMOS器件制作方法无效
| 申请号： | 201210209067.7 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102709244A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nmos 器件 制作方法 | ||
1.一种NMOS器件制作方法，其特征在于，包括：
提供含有NMOS的基底；
在所述基底上沉积具有高拉应力的氮化硅层；
对具有不同沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层分别进行紫外光照射，所述紫外光照射的时间和温度与所述沟道长度成正比；
继续后续通用的半导体工艺流程，以形成NMOS晶体管。
2.如权利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述紫外光包括波长范围为320纳米至400纳米的光。
3.如权利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述紫外光的照射温度范围为300摄氏度至500摄氏度，照射时间为2-7分钟。
4.如权利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜的高拉应力在紫外光照射之前为300-700兆帕，在紫外光照射之后为500-2000兆帕。
5.如权利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述对具有不同沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层分别进行紫外光照射，所述紫外光照射的时间和温度与所述沟道长度成正比包括：按照沟道长度递增或递减的顺序，对具有不同沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层，逐个依次进行紫外光照射，其中，所述紫外光照射的时间和温度对应地呈递增或递减的顺序。
6.如权利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述对具有不同沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层分别进行紫外光照射，所述紫外光照射的时间和温度与所述沟道长度成正比包括：第一次对具有最长沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层进行紫外光照射，第二次对具有最长沟道长度的NMOS以及具有次长沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层进行紫外光照射，以此递增，其中，第N次对具有N个沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层一起进行紫外光照射，直至对所有NMOS所对应的氮化硅层完成紫外光照射。
7.如权利要求1所述的NMOS器件制作方法，其特征在于，所述继续后续通用的半导体工艺流程包括沉积金属前介电质层。
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