[发明专利]半导体存储装置及其分区编程控制电路和编程方法有效
申请号: | 201210210321.5 | 申请日: | 2012-06-21 |
公开(公告)号: | CN103093817B | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 安龙福 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 俞波,郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 及其 分区 编程 控制电路 方法 | ||
1.一种半导体存储装置,包括:
编程脉冲发生模块,所述编程脉冲发生模块被配置成响应于编程使能信号而产生写入控制信号和编程完成信号;
分区编程控制电路,所述分区编程控制电路被配置成响应于所述编程完成信号和指示分区编程模式的分区时段使能信号而根据编程分区的预定次数和所述分区时段使能信号的电平来产生分区编程使能信号;以及
控制器,所述控制器被配置成响应于所述分区编程使能信号而产生所述编程使能信号。
2.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中,所述编程脉冲发生模块响应于所述编程使能信号而产生所述写入控制信号,并且当完成用于产生所述写入控制信号的操作时产生所述编程完成信号。
3.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中,所述分区编程控制电路根据所述编程分区的预定次数经由计数操作来产生所述分区编程使能信号,其中所述分区编程使能信号响应于所述编程完成信号而产生。
4.如权利要求3所述的半导体存储装置,其中,所述分区编程控制电路响应于指定与所述编程分区的预定次数相对应的分区编程区域的分区模式信号而产生分区码。
5.如权利要求4所述的半导体存储装置,还包括:
写入驱动器,所述写入驱动器被配置成根据所述分区码而被驱动,并且将响应于所述写入控制信号产生的编程电流提供给存储模块。
6.如权利要求1所述的半导体存储装置,还包括:
写入驱动器,所述写入驱动器被配置成产生与所述写入控制信号相对应的编程电流并将数据编程到存储模块。
7.如权利要求6所述的半导体存储装置,
其中,所述编程脉冲发生模块产生所述写入控制信号与所述编程分区的预定次数相对应的次数,并且所述写入驱动器与包括预定数量的位线的位线单元连接,以及
其中,当产生所述写入控制信号时,所述控制器驱动相应的写入驱动器,并且将数据编程到所述存储模块。
8.如权利要求6所述的半导体存储装置,其中,所述存储模块包括以电流驱动方案记录和感测数据的多个存储器单元。
9.一种半导体存储装置,包括:
编程脉冲发生模块,所述编程脉冲发生模块被配置成响应于根据分区编程使能信号产生的编程使能信号而输出写入控制信号;以及
写入驱动器,所述写入驱动器被配置成将响应于所述写入控制信号产生的编程脉冲提供给存储模块,
其中,所述分区编程使能信号响应于编程完成信号和指示分区编程模式的分区时段使能信号而产生。
10.如权利要求9所述的半导体存储装置,其中,所述分区编程使能信号根据编程分区的预定次数被使能。
11.如权利要求10所述的半导体存储装置,其中,所述编程脉冲发生模块产生所述写入控制信号与所述编程分区的预定次数相对应的次数。
12.如权利要求9所述的半导体存储装置,其中,所述编程脉冲发生模块在产生所述写入控制信号之后产生编程完成信号,并且响应于所述编程完成信号而产生所述分区编程使能信号。
13.如权利要求9所述的半导体存储装置,其中,所述写入控制信号包括用于对具有第一电平的数据编程的第一写入控制信号和用于对具有第二电平的数据编程的第二写入控制信号。
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