[发明专利]半导体存储装置及其设定编程控制电路和编程方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

编程脉冲发生模块，所述编程脉冲发生模块被配置成响应于编程使能信号而产生第一写入控制信号、第二写入控制信号以及编程完成信号；

设定编程控制电路，所述设定编程控制电路被配置成响应于擦除命令和所述编程完成信号而重复产生设定编程使能信号预定的次数；以及

控制器，所述控制器被配置成响应于所述擦除命令而将所述第一写入控制信号禁止，并响应于所述设定编程使能信号而产生所述编程使能信号。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，

其中，每次所述设定编程使能信号被使能时，所述控制器产生所述编程使能信号，以及

其中，每次所述编程使能信号被使能时，所述编程脉冲发生模块产生所述第二写入控制信号，并且在完成用于产生所述第二写入控制信号的操作时，产生所述编程完成信号。

3.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述设定编程控制电路产生所述设定编程使能信号，且产生所述设定编程使能信号的次数是根据擦除操作的基本单位和设定数据记录单位所设定的次数。

4.如权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述设定编程控制电路用将所述擦除操作的基本单位除以所述设定数据记录单位所获得的初始值来执行计数，并且每次执行计数时输出所述设定编程使能信号。

5.如权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述设定编程控制电路在执行与同时选择的字线数目相对应的次数的计数之后，产生地址计数信号和字线预充电信号。

6.如权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述设定编程控制电路响应于所述擦除命令而将擦除时段使能信号使能，并且在执行最终计数操作时产生擦除结束信号，并将所述擦除结束信号提供给所述控制器。

7.如权利要求1所述的半导体存储装置，还包括：

写入驱动器，所述写入驱动器被配置成产生与所述第一写入控制信号和所述第二写入控制信号相对应的编程电流，并且将数据编程到存储模块。

8.如权利要求7所述的半导体存储装置，

其中，每次所述设定编程使能信号被使能时，所述编程脉冲发生模块产生所述第二写入控制信号，以及

其中，所述写入驱动器接收多个设定数据，并且当预定数目的字线被同时驱动时，将数据编程到与驱动的字线连接的存储模块。

9.如权利要求7所述的半导体存储装置，其中，所述存储模块包括以电流驱动方案来记录与读取数据的多个存储器单元。

10.一种半导体存储装置，包括：

设定编程控制电路，所述设定编程控制电路被配置成响应于擦除命令和编程完成信号而产生设定编程使能信号；

编程脉冲发生模块，所述编程脉冲发生模块被配置成根据响应于所述设定编程使能信号而产生的编程使能信号，来输出第一写入控制信号和第二写入控制信号；以及

写入驱动器，所述写入驱动器被配置成将响应于所述第一写入控制信号和所述第二写入控制信号而产生的编程脉冲提供给存储模块。

11.如权利要求10所述的半导体存储装置，其中，以与根据擦除操作的基本单位和设定数据记录单位所确定的次数相对应的次数来将所述设定编程使能信号使能。

12.如权利要求11所述的半导体存储装置，其中，所述设定编程控制电路用将所述擦除操作的基本单位除以所述设定数据记录单位所获得的初始值来执行计数，并且每次执行计数时输出所述设定编程使能信号。

13.如权利要求10所述的半导体存储装置，

其中，所述第一写入控制信号用于对具有第一电平的数据编程，以及所述第二写入控制信号用于对具有第二电平的数据编程，以及

其中，所述半导体存储装置还包括：

控制器，所述控制器被配置成响应于所述擦除命令而将所述第一写入控制信号禁止。

14.一种设定编程控制电路，

其中，所述设定编程控制电路响应于根据设定编程使能信号产生的编程使能信号，而与产生编程完成信号的编程脉冲发生模块连接，以及

其中，所述设定编程控制电路响应于擦除命令和所述编程完成信号而产生所述设定编程使能信号。