[发明专利]存储元件、制造存储元件的方法以及存储装置

权利要求书

1.一种存储元件，其依次包括第一电极、存储层以及第二电极，其中，

所述存储层包括：

电阻变化层，其设置在所述第一电极侧；以及

离子源层，其包含一种以上金属元素，并且所述离子源层设置在所述第二电极侧，并且

所述离子源层包括第一离子源层和第二离子源层，所述第一离子源层包含硫族元素碲、硫、硒中的一种以上并设置在所述电阻变化层侧，而所述第二离子源层中的硫族元素的含量不同于所述第一离子源层中的硫族元素的含量，并且所述第二离子源层设置在所述第二电极侧。

2.如权利要求1所述的存储元件，其中，

所述第一离子源层包括一个以上第一层和一个以上第二层，所述第一层包含硫族元素碲、硫、硒中的一种以上以及易于在所述存储层中移动的易移动元素，并具有从所述第一电极向所述第二电极的所述易移动元素的浓度梯度，并且所述第二层包含难以在所述存储层中移动的难移动元素。

3.如权利要求1或2所述的存储元件，其中，

所述金属元素为铜、铝、锗以及锌中的一种以上。

4.如权利要求1或2所述的存储元件，其中，

所述金属元素为钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼以及钨组成的过渡金属的组中的一种以上。

5.如权利要求1或2所述的存储元件，其中，

所述第二离子源层中的硫族元素的含量低于所述第一离子源层中的硫族元素的含量。

6.如权利要求3所述的存储元件，其中，

所述第二离子源层中的铜、铝、锗以及锌中的一种以上所述金属元素的含量高于所述第一离子源层中的一种以上所述金属元素的含量。

7.如权利要求4所述的存储元件，其中，

所述第二离子源层中的钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼以及钨组成的过渡金属的组中的一种以上所述金属元素的含量高于所述第一离子源层中的一种以上所述金属元素的含量。

8.如权利要求1或2所述的存储元件，其中，

所述第二离子源层的熔点高于所述第一离子源层的熔点。

9.如权利要求1或2所述的存储元件，其中，

所述第二离子源层的电阻值低于所述第一离子源层的电阻值。

10.如权利要求1或2所述的存储元件，其中，

所述第二离子源层中的氧的含量大于所述第一离子源层中的氧的含量。

11.如权利要求1或2所述的存储元件，其中，

所述第一离子源层具有从所述第一电极侧向所述第二电极侧的硫族元素的浓度梯度。

12.如权利要求2所述的存储元件，其中，

所述第二离子源层的熔点高于构成所述第一离子源层的多个层中的与所述电阻变化层接触的层的熔点。

13.如权利要求2所述的存储元件，其中，

所述第二离子源层的电阻值低于构成所述第一离子源层的多个层中的与所述电阻变化层接触的层的电阻值。

14.如权利要求1或2所述的存储元件，其中，

通过响应于对所述第一电极和所述第二电极所施加的电压而在所述电阻变化层中形成包含所述金属元素的低电阻部，从而使电阻值呈现变化。

15.一种存储装置，其包括：

多个如权利要求1至14之任一项所述的存储元件；以及

脉冲施加部，其对所述存储元件选择性地施加电压脉冲或电流脉冲。

16.一种制造存储元件的方法，所述方法包括：

在基板上形成第一电极；

在所述第一电极上形成电阻变化层；

在所述电阻变化层上形成包含金属元素并包含硫族元素碲、硫、硒中的一种以上的第一离子源层；

在所述第一离子源层上形成硫族元素的含量与所述第一离子源层中的硫族元素的含量不同的第二离子源层；并且

在所述第二离子源层上形成第二电极。