[发明专利]一种基于基板刻蚀方式的焊球凸点封装技术方法

权利要求书

1.一种基于基板刻蚀方式的焊球凸点封装技术方法，其特征在于，该方法具体步骤如下：

（1）选取单面抛光的(110)晶面单晶硅片，经过超声清洗并烘干后作为基板；

（2）以Si₃N₄作为掩膜板材料，选取掩膜图案，通过湿法刻蚀技术或干法刻蚀技术进行刻蚀处理，获得与所选取掩膜图案相对应的结构形貌； 

（3）把刻蚀好的单晶硅片经过超声清洗并烘干，在未经刻蚀处理的单晶硅片表面区域旋涂一层光刻胶，然后在刻蚀区利用物理沉积的方法沉积一层Ti膜或Cr膜，接着再沉积一层Cu膜，最后利用丙酮把硅片表面的光刻胶洗去；

（4）将沉积好粘结层后的单晶硅片经过超声清洗并烘干，利用电镀或者化学镀方法在Cu膜表面镀上一层Co基膜或者Ni基膜；

（5）将镀好Co基膜或Ni基膜的单晶硅片经过超声清洗并烘干后平行放置，把焊球或者焊料放置在Co基膜或Ni基膜上，接着平行放入回流焊炉，关闭炉门并通入氮气或惰性气体进行保护，最后利用回流焊炉进行回流焊接，制得抗蠕变能力强、抗冲击能力强以及高可靠性的焊点。

2.根据权利要求1所述的一种基于基板刻蚀方式的焊球凸点封装技术方法，其特征在于：所述单晶硅片的直径为1英寸~10英寸，厚度为500 μm~600 μm。

3.根据权利要求1所述的一种基于基板刻蚀方式的焊球凸点封装技术方法，其特征在于：所述掩膜图案为梯形、三角形、矩形和球形中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种基于基板刻蚀方式的焊球凸点封装技术方法，其特征在于：所述湿法刻蚀以KOH溶液或者四甲基氢氧化铵溶液作为腐蚀液；所述干法刻蚀以SF₆溶液或CF₄溶液或二者的混合溶液作为腐蚀液。

5.根据权利要求1所述的一种基于基板刻蚀方式的焊球凸点封装技术方法，其特征在于：所述刻蚀处理的刻蚀深度为5 μm~150 μm。

6.根据权利要求1所述的一种基于基板刻蚀方式的焊球凸点封装技术方法，其特征在于：所述Ti膜或Cr膜的厚度为30 nm~50 nm。

7.根据权利要求1所述的一种基于基板刻蚀方式的焊球凸点封装技术方法，其特征在于：所述Cu膜的厚度为150 nm~200 nm。

8.根据权利要求1所述的一种基于基板刻蚀方式的焊球凸点封装技术方法，其特征在于：所述Co基膜或者Ni基膜的厚度为2 μm~5 μm。

9.根据权利要求1所述的一种基于基板刻蚀方式的焊球凸点封装技术方法，其特征在于：所述回流焊接的次数为1次~3次。