[发明专利]溅射装置

权利要求书

1.一种溅射设备，用于将沉积材料从沉积源沉淀至沉积目标，

其中，所述沉积源和所述沉积目标之间的溅射压强为从6.70x10^-2Pa至1.34x10^-1Pa。

2.如权利要求1所述的溅射设备，其中，所述溅射设备配置为在低于150°C的温度下将所述沉积材料沉积至所述沉积目标。

3.如权利要求1所述的溅射设备，包括：

背板，与所述沉积目标接触；以及

磁性物质，与所述背板接触，

其中，所述背板位于所述沉积源和所述磁性物质之间。

4.如权利要求3所述的溅射设备，其中，所述溅射设备配置为在低于150°C的温度下将所述沉积材料沉积至所述沉积目标。

5.如权利要求3所述的溅射设备，其中，位于所述沉积源的表面处并与所述磁性物质对应的磁通量密度为从1.17x10³高斯至1.70x10³高斯。

6.如权利要求5所述的溅射设备，其中，所述溅射设备配置为在低于150°C的温度下将所述沉积材料沉积至所述沉积目标。

7.如权利要求3所述的溅射设备，其中，所述磁性物质包括多个磁性物质，以及

其中，所述溅射设备还包括用于冷却水的冷却通道，所述冷却通道位于所述多个磁性物质中的相邻磁性物质之间。

8.如权利要求7所述的溅射设备，其中，所述溅射设备配置为在低于150°C的温度下将所述沉积材料沉积至所述沉积目标。

9.如权利要求1所述的溅射设备，其中，所述沉积材料包括金属氧化物。

10.如权利要求9所述的溅射设备，其中，所述溅射设备配置为在低于150°C的温度下将所述沉积材料沉积至所述沉积目标。

11.如权利要求9所述的溅射设备，其中，所述金属氧化物包括选自由ITO、锡氧化物和锌氧化物构成的组中的至少一种。

12.如权利要求11所述的溅射设备，其中，所述溅射设备配置为在低于150°C的温度下将所述沉积材料沉积至所述沉积目标。

13.如权利要求1所述的溅射设备，其中，所述沉积源与所述沉积目标间隔10cm。

14.如权利要求13所述的溅射设备，其中，所述溅射设备配置为在低于150°C的温度下将所述沉积材料沉积至所述沉积目标。

15.如权利要求1所述的溅射设备，其中，所述溅射设备配置为在所述沉积源与所述沉积目标之间产生6.70x10^-2Pa的溅射压强。

16.如权利要求15所述的溅射设备，其中，所述溅射设备配置为在低于150°C的温度下将所述沉积材料沉积至所述沉积目标。