[发明专利]一种NAND器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210211647.X | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103515323A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;胡敏达;王新鹏;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nand 器件 制造 方法 | ||
1.一种NAND器件的制造方法，所述方法包括：
提供半导体衬底，并在所述衬底上方沉积低K材料或者超低K材料；
在所述低K材料或者超低K材料上方由下往上依次形成第一氧化物层、第一金属掩膜层、第二氧化物掩膜层、第二金属掩膜层和第一图案化掩膜材料层；
蚀刻所述第一图案化掩膜材料层，以形成间隔图案；
在所述间隔图案和所述第二金属掩膜层上方沉积第二图案化掩膜材料层；
蚀刻所述第二图案化掩膜材料层，以在所述间隔图案的侧壁形成间隔壁；
蚀刻去除所述间隔图案；
以所述间隔壁为掩膜，图案化所述第二金属掩膜层；
蚀刻去除所述间隔壁，同时图案化所述第二氧化物掩膜层；
以所述图案化了所述第二氧化物掩膜层为掩膜，图案化所述第一金属掩膜层，同时去除所述图案化了的所述第二金属掩膜层。
2.根据权利要求1所述的NAND器件的制造方法，其特征在于，所述第一氧化物掩膜层为不含氮氧化物。
3.根据权利要求1所述的NAND器件的制造方法，其特征在于，所述第一氧化物掩膜层为氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的NAND器件的制造方法，其特征在于，所述第二氧化物掩膜层为氧化硅层。
5.根据权利要求1所述的NAND器件的制造方法，其特征在于，所述第一图案化掩膜材料为光刻胶或多晶硅。
6.根据权利要求1所述的NAND器件的制造方法，其特征在于，所述第二图案化掩膜材料层为氧化物层或氮化物层。
7.根据权利要求1所述的NAND器件的制造方法，其特征在于，所述第一金属掩膜层为TiN层、BN层或Cu3N层。
8.根据权利要求1所述的NAND器件的制造方法，其特征在于，所述第二金属掩膜层为TiN层、BN层或Cu3N层。
9.根据权利要求1所述的NAND器件的制造方法，其特征在于，所述第一金属掩膜层与所述第二金属掩膜层的材料不同。
10.根据权利要求1所述的NAND器件的制造方法，其特征在于，采用原子层沉积方法在所述间隔图案和所述第二金属掩膜层上方沉积所述第二图案化掩膜材料层。
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