[发明专利]基于高频隔离变换的大功率多电平变流器无效

专利信息
申请号: 201210212090.1 申请日: 2012-06-21
公开(公告)号: CN102751891A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 程红;王聪;李瑶璞;张国澎;卢其威;邹甲;王俊 申请(专利权)人: 中国矿业大学(北京)
主分类号: H02M7/25 分类号: H02M7/25;H02M3/335;H02M7/537
代理公司: 北京双收知识产权代理有限公司 11241 代理人: 吴杰;解政文
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 基于 高频 隔离 变换 大功率 电平 变流器
【权利要求书】:

1.一种基于高频隔离变换的大功率多电平变流器,包括主回路及其移相控制电路,其特征在于:主回路具有三级结构,包括输入级、中间级和输出级:

输入级为级联式H桥整流器,级联式H桥整流器包括串联连接的若干个H桥整流电路(Cell-1,Cell-2,Cell-3,…Cell-n),每个H桥整流电路的输出端分别并联有电容器(Cm),其中m=1,2,3,…n;

中间级为高频DC-DC隔离变换器,高频DC-DC隔离变换器包括若干个带高频隔离变压器的DC/DC变换器(Block-1,Block-2,Block-3,…Block-n),并与前级电路的各个H桥整流电路的输出端对应连接;

输出级为二极管嵌位式多电平逆变器,二极管嵌位式多电平逆变器的输入端并联有直流侧电容(Cn′,其中n=1,2,3,4),分别与前级电路的各个带高频隔离变压器的DC/DC变换器的输出端对应连接;

级联式H桥整流器的每个H桥整流电路输出均等的直流电压,移相控制电路通过控制各个H桥整流电路的移相角来控制直流侧的电容电压。

2.根据权利要求1所述的基于高频隔离变换的大功率多电平变流器,其特征在于:其中所述输入级、中间级和输出级构成单相五电平拓扑结构:

输入级为单相级联式H桥整流器,单相级联式H桥整流器包括串联连接的4个H桥整流电路(Cell-n,其中n=1,2,3,4),每个H桥整流电路包括4个带有反并联二极管的IGBT模块,第一H桥整流电路(Cell-1)的第一个桥臂中点和第四H桥整流电路(Cell-4)的第二个桥臂中点之间接入单相交流输入电压,其余H桥整流电路的第二个桥臂中点与下一个H桥整流电路的第一个桥臂中点连接;

中间级为单相高频DC-DC隔离变换器,单相高频DC-DC隔离变换器包括4个带高频隔离变压器的DC/DC变换器(Block-n,其中n=1,2,3,4),分别与前级电路的4个H桥整流电路的输出端对应连接,每个带高频隔离变压器的DC/DC变换器包括串联连接的H桥变流器、高频变压器和另一H桥变流器,其中,每个H桥变流器包括4个带有反并联二极管和并联电容的IGBT模块;

输出级为二极管嵌位式五电平逆变器,二极管嵌位式五电平逆变器的输入端并联有直流侧电容(Cn′,其中n=1,2,3,4),分别与每个带高频隔离变压器的DC/DC变换器Block的输出端对应连接。

3.根据权利要求1所述的基于高频隔离变换的大功率多电平变流器,其特征在于:其中所述输入级、中间级和输出级构成三相五电平拓扑结构:

输入级为三相级联式H桥整流器,三相级联式H桥整流器包括3个单相级联式H桥整流器,每相4个H桥整流电路(Cell-n,其中n=1,2,3,4),共12个H桥整流电路,在各相中,第一个H桥整流电路(Cell-1)的第一个桥臂中点作为三相电压输入端,第四个H桥整流电路(Cell-4)的第二个桥臂中点互相连接;

中间级为三相高频DC-DC隔离变换器,三相高频DC-DC隔离变换器包括3个单相高频DC-DC隔离变换器,每相4个带高频隔离变压器的DC/DC变换器(Block-n,其中n=1,2,3,4),共12个带高频隔离变压器的DC/DC变换电路,分别与前级电路对应连接;

输出级为二极管嵌位式五电平逆变器,二极管嵌位式五电平逆变器的输入端并联有直流侧电容(Cn′,其中n=1,2,3,4),每个单相高频DC-DC隔离变换器的第一个带高频隔离变压器的DC/DC变换器Block-1的输出端串联连接后,并联连接到第一个直流侧电容(C1′),以此类推,每个单相高频DC-DC隔离变换器的第n个带高频隔离变压器的DC/DC变换器(Block-n)的输出端串联连接后,并联连接到第n个直流侧电容(Cn′,其中n=1,2,3,4)。

4.根据权利要求1所述的基于高频隔离变换的大功率多电平变流器,其特征在于:其中所述多电平逆变器为飞跨电容型多电平逆变器。

5.根据权利要求2或3所述的基于高频隔离变换的大功率多电平变流器,其特征在于:其中所述五电平逆变器为飞跨电容型五电平逆变器。

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