[发明专利]一种制备石墨烯器件的方法

权利要求书

1.一种制备石墨烯器件的方法，所述石墨烯器件包括电极和石墨烯有源区，制备方法包括以下步骤：

1)在绝缘基底上生长石墨烯，或者在金属上生长石墨烯后再将石墨烯转移到绝缘基底上；

2)通过光学光刻在绝缘基底上定义器件电极的图形，然后沉积电极材料，并通过剥离的方法形成电极的形状；

3)通过光学光刻在石墨烯上定义有源区的形状，刻蚀形成石墨烯有源区的形状；

4)将步骤3)得到的器件用氯苯浸泡处理；

5)将器件从氯苯中取出，用除胶剂AR 300-70浸泡处理，得到所需石墨烯器件。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述石墨烯是单层的或者多层的。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)采用化学气相沉淀方法在绝缘基底上生长石墨烯。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)通过化学气相沉积或金属偏析法在金属上生长石墨烯，然后再将石墨烯转移到绝缘基底上，其中有源区部分位于绝缘基底上或者是悬空的。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘基底是覆盖有SiO₂的硅片，或者是SiC、石英、云母、玻璃或氮化硼基片。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)所述电极材料是金属，采用电子束蒸发、热蒸发或者磁控溅射方法沉积金属电极材料。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)光学光刻定义有源区形状后，通过氧等离子刻蚀形成石墨烯有源区的形状。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)和3)中所述光学光刻所用光刻胶为正胶或负胶，采用接触式曝光或者非接触式曝光。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)氯苯浸泡时间为10min～20h。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5)除胶剂AR 300-70浸泡时间为0.5min～2min。