[发明专利]一种大功率LED底座的制备方法和大功率LED底座

权利要求书

1.一种大功率LED底座的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在氧化铝陶瓷基板的表面镀一层氧化亚铜层，然后在氧化亚铜层表面继续镀铜层，得到表面覆铜陶瓷；

S2、将表面覆铜陶瓷在惰性气氛中进行热处理，热处理温度为1064-1080℃；然后进行曝光显影蚀刻，得到表面具有金属化线路的陶瓷电路板；

S3、将铜基座表面进行氧化，得到具有微氧化结合面的铜基座；

S4、使陶瓷电路板具有金属化线路的一面向外，将陶瓷电路板的另一面与铜基座的微氧化结合面贴合，然后在惰性气氛中进行热处理，热处理温度为1064-1080℃，冷却后在金属化线路的表面继续金属化，得到所述大功率LED底座。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，氧化亚铜层的厚度为10-60nm，铜层的厚度为20-100μm。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，镀氧化亚铜层的方法为蒸镀或溅射镀；镀铜层的方法为先进行蒸镀、溅射镀或化学镀形成薄铜层，然后进行电镀加厚。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中热处理温度为1066-1073℃，步骤S4中热处理温度为1066-1073℃。

5.根据权利要求1或4所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中热处理时间为5-20min，步骤S4中热处理时间为10-30min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，铜基座表面进行氧化的步骤为：空气中将铜基座用100-300℃的热风处理10-60min。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，在氧化铝陶瓷基板的一个表面镀氧化亚铜层和铜层，得到的所述表面覆铜陶瓷为单面覆铜陶瓷；S2中，热处理后对所述单面覆铜陶瓷的铜层表面进行曝光显影蚀刻，得到表面具有金属化线路的陶瓷电路板；S4中，将陶瓷电路板与铜基座贴合时，使陶瓷电路板的金属化线路的一面向外，而将陶瓷电路板另一面的氧化铝陶瓷基板与铜基座的微氧化结合面接触，然后进行热处理。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，在氧化铝陶瓷基板的上下两个表面均镀氧化亚铜层和铜层，得到所述表面覆铜陶瓷为双面覆铜陶瓷；S2中，热处理后对所述双面覆铜陶瓷的其中一个铜层表面进行曝光显影蚀刻，在该表面形成金属化线路，得到所述陶瓷电路板；S4中，将陶瓷电路板与铜基座贴合时，使陶瓷电路板的金属化线路的一面向外，而将未曝光显影蚀刻的仍为铜层的一面与铜基座的微氧化结合面接触，然后进行热处理。

9.根据权利要求1、7或8任一项所述的制备方法，其特征在于，S4中，在金属化线路的表面继续金属化的方法为在金属化线路的表面继续镀镍、金、银中的一种或多种。

10.一种大功率LED底座，其特征在于，所述LED底座由权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到。