[发明专利]一种磁电复合多态存储器单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201210212556.8 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102768854A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 李扩社;胡权霞;彭海军;张洪滨;李红卫;于敦波;谢佳君;李廷先;严辉 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研稀土新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02;H01L43/00;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁电 复合 存储器 单元 及其 制备 方法 | ||
1.一种磁电复合多态存储器单元，其特征在于，包括在衬底上依次复合的底电极、铁电层和顶电极，所述底电极和顶电极均为材料为La1-xSrxMnMyO3的铁磁层，其中0.15≤x≤0.5，0≤y≤0.1，M为Ag、Bi、Cu、Co、Ni和Sc元素中的至少一种；所述铁电层的材料为BaTiO3；所述铁磁层与铁电层的材料均具有(110)取向；所述铁磁层与铁电层的厚度比为0.1～20。
2.一种磁电复合多态存储器单元，其特征在于，包括在衬底上依次复合的底电极、铁电层和顶电极，所述底电极为材料为La1-xSrxMnMyO3的铁磁层，其中0.15≤x≤0.5，0≤y≤0.1，M为Ag、Bi、Cu、Co、Ni和Sc元素中的至少一种；所述铁电层的材料为BaTiO3；所述顶电极为材料为Ag、Au、Pt、Cu或Al的薄膜层；所述铁磁层与铁电层的材料均具有(110)取向；所述铁磁层与铁电层的厚度比为0.1～20。
3.根据权利要求1或2所述的磁电复合多态存储器单元，其特征在于，所述铁磁层与铁电层的材料均具有钙钛矿结构。
4.根据权利要求1或2所述的磁电复合多态存储器单元，其特征在于：所述铁磁层的内禀矫顽力2.5kA/m≤Hcj≤40kA/m。
5.根据权利要求1或2所述的磁电复合多态存储器单元，其特征在于：所述铁磁层与铁电层的厚度比2.1～5。
6.根据权利要求1或2所述的磁电复合多态存储器单元，其特征在于：所述铁磁层与铁电层的总厚度小于1μm。
7.根据权利要求1或2所述的磁电复合多态存储器单元，其特征在于：所述铁电层的相对介电常数为50～800。
8.根据权利要求7所述的磁电复合多态存储器单元，其特征在于：所述铁电层的相对介电常数为150～300。
9.根据权利要求1或2所述的磁电复合多态存储器单元，其特征在于：所述衬底材料为LaAlO3、SrTiO3或(La1-xSrx)(Al1-yTay)O3的(110)取向单晶，其中0.15≤x≤0.5，0.15≤y≤0.5。
10.一种权利要求1所述的磁电复合多态存储器单元的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
于600-800℃下在衬底上依次沉积铁磁层薄膜、铁电层薄膜与铁磁层薄膜，然后在氧气气氛中于700-860℃热处理30-120min。
11.一种权利要求2所述的磁电复合多态存储器单元的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
于600-800℃下在衬底上依次沉积铁磁层薄膜与铁电层薄膜，然后在氧气气氛中于700-860℃热处理30-120min；再在铁电层表面沉积顶电极薄膜。
12.根据权利要求10或11所述的制备方法，其特征在于：所述的沉积方法为磁控溅射、脉冲激光沉积、离子束溅射或离子镀。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院;有研稀土新材料股份有限公司，未经北京有色金属研究总院;有研稀土新材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210212556.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
