[发明专利]晶体管装置及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管装置，包括：

基底；

第一阱（well），设置于该基底之中；

第二阱，设置于该基底之中；

浅沟槽隔离结构(shallow trench isolation，STI)，设置于该第二阱内，该浅沟槽隔离结构具有至少一悬浮岛状有源区（floating diffusion island）；

源极，设置于该第一阱内；

漏极，设置于该第二阱内，该悬浮岛状有源区的导电类型与该漏极的导电类型相反或相同；以及

栅极，设置于该第一阱及该第二阱之上并与部分的该第一阱及该第二阱交叠。

2.如权利要求1所述的晶体管装置，其中该栅极与该悬浮岛状有源区部分重叠。

3.如权利要求1所述的晶体管装置，其中该悬浮岛状有源区的深度小于该浅沟槽隔离结构的厚度。

4.如权利要求1所述的晶体管装置，其中该浅沟槽隔离结构的宽度为该悬浮岛状有源区的宽度的三倍。

5.如权利要求1所述的晶体管装置，其中该悬浮岛状有源区实质上位于该浅沟槽隔离结构的中央处。

6.如权利要求1所述的晶体管装置，其中该至少一悬浮岛状有源区的数量大于或等于二，该些悬浮岛状有源区相互隔绝。

7.如权利要求6所述的晶体管装置，其中邻近的该些悬浮岛状有源区的间距大于或等于0.3微米（micrometer，um）。

8.如权利要求1所述的晶体管装置，还包括：

深阱，设置于该基底上，该第二阱及该第一阱设置于该深阱内，该悬浮岛状有源区的浓度与该深阱的浓度具有相同数量级。

9.一种晶体管装置的制造方法，包括：

提供一基底；

形成一第一阱（well）于该基底之中；

形成一第二阱于该基底之中；

形成一浅沟槽隔离结构(shallow trench isolation，STI)于该第二阱内，该浅沟槽隔离结构具有至少一悬浮岛状有源区（floating diffusion island）；

形成一源极于该第一阱内；

形成一漏极于该第二阱内，该悬浮岛状有源区与该漏极的导电类型相反或相同；以及

形成一栅极于该第一阱及该第二阱之上，该栅极与部分的该第一阱及该第二阱交叠。

10.如权利要求9所述的晶体管装置的制造方法，其中在形成该栅极中，该栅极与该悬浮岛状有源区部分重叠。

11.如权利要求9所述的晶体管装置的制造方法，其中在形成该浅沟槽隔离结构的步骤中，该悬浮岛状有源区的深度小于该浅沟槽隔离结构的厚度。

12.如权利要求9所述的晶体管装置的制造方法，其中在形成该浅沟槽隔离结构的步骤，该浅沟槽隔离结构的宽度为该悬浮岛状有源区的宽度的三倍。

13.如权利要求9所述的晶体管装置的制造方法，其中在形成该浅沟槽隔离结构的步骤，该悬浮岛状有源区实质上位于该浅沟槽隔离结构的中央处。

14.如权利要求9所述的晶体管装置的制造方法，其中在形成该浅沟槽隔离结构的步骤中，该至少一悬浮岛状有源区的数量大于或等于二。

15.如权利要求14所述的晶体管装置的制造方法，其中在形成该浅沟槽隔离结构的步骤中，邻近的该些悬浮岛状有源区的间距大于或等于0.3微米（micrometer，um）。

16.如权利要求9所述的晶体管装置的制造方法，其中在形成该第二阱的步骤及形成该第一阱的步骤之前，该制造方法还包括：

形成一深阱于该基底上，该第二阱及该第一阱设置于该深阱内，该悬浮岛状有源区的浓度与该深阱的浓度具有相同数量级。