[发明专利]光器件以及光调制装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种光器件以及光调制装置。

背景技术

已知是使用对于所施加的电场强度折射率变化与LiNbO₃（LN）不同的锆钛酸铅镧（PbLaZrTiO系的复合氧化物，简称为PLZT）结晶等的马赫-曾德尔（mach-zehnder）型光器件（例如，参照专利文献1）。为了使这种光器件高速运行，已知有在PLZT结晶上形成SiO₂等的绝缘膜之后形成电极。

专利文献1：特开2006-58837号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在电极与PLZT结晶之间形成这种绝缘膜时，电极与PLZT结晶距离变远，因此根据施加在电极上的电压而产生的电场难以到达由PLZT结晶形成的导波路中。因而，导致相对于施加电压所施加在导波路上的电场强度下降。因此，例如在将马赫-曾德尔型光器件用作光调制器的情况下，将作为使输入光相位进行半波长偏移所需的施加电压的Vπ电压设为高的电压值。

解决问题的方案

在本发明的第一方式中，提供一种光器件，具有：基板；电介质膜，形成在基板上、且具有并行的第一光导波路以及第二光导波路；绝缘膜，形成在电介质膜上；共面线路，具有形成在绝缘膜上且配置在第一光导波路以及第二光导波路之间的信号线，配置在对着第一光导波路的第二光导波路相反侧的第一区域中的第一接地线，以及配置在对着第二光导波路的第一光导波路相反侧的第二区域的第二接地线；以及辅助电极，在第一区域以及第二区域中与电介质膜相接或者设置在绝缘膜内部、且施加对于第一光导波路以及第二光导波路的偏置电压。

此外，上述的发明的概要并非列举了本发明的必要特征的全部。另外，这些特征群的子组合也能够成为发明。

附图说明

图1表示与本实施方式有关的光器件部100的结构例与驱动电路部200。

图2表示图1的A-A’截面与驱动电路部200。

图3表示对与本实施方式有关的电介质膜20施加电场的折射率变化的一个例子。

图4表示与本实施方式有关的驱动电路部200的驱动电压V_RF的一个例子。

图5表示与本实施方式有关的光器件部100的电极间电压的一个例子。

图6表示与本实施方式有关的光器件部100的偏置电压与Vπ电压的关系。

图7表示与本实施方式有关的光器件部100的第一变形例与驱动电路部200。

图8表示与本实施方式有关的光器件部100的第二变形例与驱动电路部200。

具体实施方式

下面通过发明的实施方式来说明本发明，但是下面的实施方式并不限定权利要求涉及的发明。另外，在实施方式中说明的特征的组合的全部不一定都是发明的技术方案所必须的。

图1表示与本实施方式有关的光器件部100的结构例与驱动电路部200。光器件部100具有：马赫-曾德尔光导波路，由强电介质结晶形成；共面型电极，具有信号线和夹着信号线的两个偏压施加电极；以及绝缘膜，形成在电介质膜与共面型电极之间，其中，通过形成在强电介质薄膜上或者绝缘膜内的辅助电极来向马赫-曾德尔光导波路有效地施加调制电场。

光器件部100具有：第一光导波路110、第二光导波路120、信号线130、第一接地线132、第二接地线134、第一光耦合器140、第二光耦合器142、第一辅助电极150、第二辅助电极152、第一外部电极160以及第二外部电极162。

第一光导波路110以及第二光导波路120采用使电介质材料的截面为凸状脊型的结构来传输所输入的光。第一光导波路110以及第二光导波路120可以以与所传输的光的波长相应的宽度以及高度来形成为凸状。

信号线130配置在第一光导波路110以及第二光导波路120之间。信号线130的一端连接在频率信号源260上，另一端连接在终端电阻250上，将从一端输入的频率信号向另一端进行传输。

第一接地线132配置在与信号线130、对着第一光导波路110的第二光导波路120相反侧的第一区域中。第一接地线132连接在基准电压210上。第二接地线134配置在与信号线130、对着第二光导波路120的第一光导波路110相反侧的第二区域中。第二接地线134连接在基准电压210上。