[发明专利]提高图像传感器满阱容量与量子效率光电二极管及方法

权利要求书

1.一种提高图像传感器满阱容量与量子效率光电二极管，结构为：在P型外延层内注入一个深度较浅的N埋层，N埋层上面是高浓度掺杂P+钳位层，其特征是，在靠近表面的N埋层下面还设置有第二个N埋层，第二个N埋层内自其与P型外延层交界面处，形成有纵向的P插入层结构。

2.一种提高图像传感器满阱容量与量子效率光电二极管形成方法，其特征是，在P型外延层上先注入较高浓度的磷形成N埋层，其注入能量范围为50千电子伏～100千电子伏，掺杂浓度范围为7e11～1.5e12/cm³；再进行磷注入形成光电二极管的第二个N埋层，其注入深度更深且位于N埋层正下方，其注入能量范围为150千电子伏～300千电子伏，掺杂浓度范围为1e11～9e11/cm³；在形成双N埋层结构后，第二个N埋层内自其与P型外延层交界面处注入P型掺杂的二氟化硼形成P插入层。

3.如权利要求2所述的提高图像传感器满阱容量与量子效率光电二极管形成方法，其特征是，第二个N埋层内自其与P型外延层交界面处注入P型掺杂的二氟化硼形成P插入层，P型掺杂的离子注入分为两步，第一步使用二氟化硼注入形成第二个N埋层内上部P1区域，注入能量范围为1,500千电子伏～2000千电子伏，掺杂浓度范围为1e12～2e12/cm³；第二步使用二氟化硼注入形成P1区域下方毗邻的P2区域，注入能量范围为2500千电子伏～3500千电子伏，掺杂浓度范围同为1e12～2e12/cm³，最终形成双N埋层P插入层的内嵌光电二极管结构。