[发明专利]一种IGBT驱动推挽电路无效
申请号: | 201210214858.9 | 申请日: | 2012-06-26 |
公开(公告)号: | CN102739211A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 苏伟;钟玉林;温旭辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H03K17/04 | 分类号: | H03K17/04 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 驱动 电路 | ||
1.一种IGBT驱动推挽电路,其特征在于,所述的驱动推挽电路包括NPN三极管(Q1)、PNP三极管(Q2)、充电电阻(R5)和放电电阻(R6);充电电阻(R5)的一端连接至输入电源(VDC1)的正极,充电电阻(R5)的另一端连接至NPN三极管(Q1)的集电极(c1);NPN三极管(Q1)的发射极(e1)和PNP三极管(Q2)的发射极(e2)连接为一点并与IGBT的栅极(G)相连接;PNP三极管(Q2)的发射极(c2)与放电电阻(R6)的一端相连,放电电阻(R6)的另一端与供电电源(VDC2)的地相接。
2.根据权利要求1所述的IGBT驱动推挽电路,其特征在于,所述的推挽电路中NPN三极管(Q1)的发射极(e1)和PNP三极管的发射极(e2)连接为一点并与充放电电阻(R7)的一端相连接,充放电电阻(R7)的另一端与IGBT的栅极(G)相连接。
3.根据权利要求1所述的IGBT驱动推挽电路,其特征在于,所述的推挽电路中NPN三极管(Q1)的发射极(e1)连接至第二充电电阻(R3)的一端,第二充电电阻(R3)的另一端与IGBT的栅极(G)相连接,第二充电电阻(R3)的另一端同时也与第二放电电阻(R4)的一端连接,第二放电电阻(R4)的另一端和PNP三极管的发射极(e2)连接。
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