[发明专利]晶片加工方法

说明书

技术区域

本发明涉及晶片加工方法，该晶片加工方法为：使波长相对于晶片具有透过性的激光从晶片的背面侧沿分割预定线照射，在晶片的内部聚光而形成变质层时，在未形成有器件的外周剩余区域不会形成变质层。

背景技术

通过将由分割预定线划分开并形成有多个器件的晶片沿分割预定线切断而分割成为多个器件。例如，晶片在蓝宝石基板、碳化硅基板等的表面形成氮化镓（GaN）等外延层（外延层），由分割预定线划分开并在外延层形成有LED等多个光器件，通过沿分割预定线照射激光光线而将所述晶片分割成一个个的光器件，并用于照明设备，液晶电视、个人电脑等各类设备。

作为所述分割晶片的方法，存在下述方法：使用相对于蓝宝石基板具有吸收性的例如波长为266nm的激光光线，沿分割预定线施以烧蚀加工从而在表面形成分割槽，通过对分割槽施加外力将晶片分割为一个个的光器件。（例如，参考专利文献1）。

但是，这种方法存在着因烧蚀加工而在光器件的外周附着熔融物，使得光器件的亮度降低的问题。

因此，为了避免所述问题，下述方法已被实际应用：使用相对于蓝宝石基板具有透过性的例如波长为1064nm的激光光线，从没有形成外延层的背面侧使聚光点会聚在分割预定线的内部并照射激光光线，沿分割预定线在内部形成变质层，然后，通过对晶片施加外力，沿分割预定线将晶片分割开。根据所述方法，能够抑制熔融物的产生（例如，参考专利文献2）。

专利文献1：日本特开平10-305420号公报

专利文献2：日本专利第3408805号公报

但是，如果在晶片的内部形成变质层的话，存在着在后续搬运时使晶片以变质层为起点发生断裂的问题。而且，如果在光器件晶片的背面形成了由金、铝等构成的反射膜的话，存在着无法从背面侧照射激光光线的问题。

发明内容

本发明就是鉴于这样的问题而完成的，其课题在于，对于在晶片的内部形成变质层的情况下，能够防止在搬运时晶片以变质层为起点发生断裂的问题，并且即使是在晶片的背面形成有反射膜的情况下也能够通过激光光线的照射在晶片的内部形成变质层。

本发明是一种晶片加工方法，所述晶片具备器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，所述器件区域由多个分割预定线划分开并表面形成有多个器件，所述晶片加工方法至少包括下述工序：变质层形成工序，在该变质层形成工序中，以保持构件保持晶片的表面侧，将波长相对于晶片具有透过性的激光光线的聚光点定位在分割预定线的内部并从晶片的背面侧进行照射，沿着分割预定线形成作为分割的起点的变质层；以及搬运工序，在该搬运工序中，将晶片从保持构件搬出并将该晶片搬运至下一工序，在变质层形成工序中，在晶片外周剩余区域未形成有变质层而是形成外周加强部。

在晶片是光器件晶片的情况下，在搬运工序中将晶片搬运到背面加工工序，所述背面加工工序用于在晶片的背面形成反射膜，所述光器件晶片在蓝宝石基板的表面层叠有外延层，在所述外延层在由分割预定线划分出的多个区域形成有光器件。

在变质层形成工序之后，进行分割工序，在该分割工序中，对晶片的分割预定线施以外力而将所述晶片分割成一个个的器件。

在本发明中，在变质层形成工序中，因为使外周剩余区域未形成有变质层而是作为外周加强部保留，因此在之后的搬运工序中晶片就不会以变质层为起点发生断裂。而且，即使是要在背面形成反射膜的晶片，因为在进行变质层形成工序的时候还未在背面形成反射膜，所以无论是不是要在背面形成反射膜的晶片，都能够沿分割预定线在内部形成变质层。并且，由于晶片不会断裂，能够将晶片搬运至背面加工工序，从而能够在晶片的背面形成反射膜，还能够应对光器件晶片的制造。

附图说明

图1是示出在晶片的表面粘着保护部件的状态的立体图。

图2是示出将粘着在晶片的表面的保护部件的一侧保持于保持构件的立体图。

图3是示出在晶片的内部形成变质层的形态的立体图。

图4是示出在晶片的内部形成变质层的形态的剖视图。

图5是示出在内部形成有变质层的晶片的立体图。

图6是示出外周加强部及变质层的剖视图。

图7是示出对保持构件所保持的晶片进行搬运的状态的主视图。

图8是示出在背面覆盖有反射膜的晶片的主视图。

图9是示出在背面的反射膜侧粘着有切割带并与框架成为一体的、将粘着在表面的保护带剥离后的晶片的立体图。

图10是示出分割工序的剖视图。

图11是将晶片的其他实例放大示出的俯视图。

标号说明

W、Wx：晶片；