[发明专利]有机发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光装置，包括：

第一像素电极，布置在衬底上；

第一堤部，覆盖所述第一像素电极的边缘，所述第一堤部具有使所述第一像素电极的一部分暴露的第一开口；

第二像素电极，覆盖所述第一像素电极通过所述第一开口暴露的部分，所述第二像素电极覆盖所述第一堤部的至少一部分；

第二堤部，位于所述第一堤部上，所述第二堤部包括比所述第一开口更宽并使所述第二像素电极暴露的第二开口；

有机发光层，覆盖所述第二像素电极；以及

相对电极，覆盖所述有机发光层，

其中，所述第二像素电极包括中央部和边缘，所述中央部接触所述第一像素电极，所述边缘从所述中央部延伸，并且所述边缘包括设置在所述第一堤部的通过所述第二开口暴露的上表面上的端部。

2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一像素电极和所述第二像素电极包括具有不同折射率的材料。

3.如权利要求2所述的有机发光装置，其中所述第二像素电极直接位于所述第一像素电极与所述有机发光层之间，所述第一像素电极的表面和所述第二像素电极的表面直接接触。

4.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一像素电极和所述第二像素电极各自的第一部分彼此直接接触，所述第一堤部的一部分位于所述第一像素电极和所述第二像素电极各自的第二部分之间。

5.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一堤部的厚度为1μm或更小。

6.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一堤部和所述第二堤部包括相同的有机材料。

7.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二像素电极包括ITO、IZO、ZnO、In₂O₃、IGO、以及AZO中的至少一种。

8.如权利要求7所述的有机发光装置，其中所述第二像素电极的厚度为100nm或更小。

9.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二像素电极包括金属材料。

10.如权利要求9所述的有机发光装置，其中所述第二像素电极的厚度为10nm或更小。

11.一种制造有机发光装置的方法，包括：

在衬底上形成第一像素电极；

形成覆盖所述第一像素电极的边缘的第一堤部，所述第一堤部具有使所述第一像素电极的一部分暴露的第一开口；

形成覆盖所述第一像素电极通过所述第一开口暴露的部分的第二像素电极，所述第二像素电极覆盖所述第一堤部的至少一部分；

在所述第一堤部上形成第二堤部，所述第二堤部具有比所述第一开口更宽的第二开口；

形成覆盖所述第二像素电极的有机发光层；以及

形成覆盖所述有机发光层的相对电极，

其中，所述第二像素电极包括中央部和边缘，所述中央部接触所述第一像素电极，所述边缘从所述中央部延伸，并且所述边缘包括设置在所述第一堤部的通过所述第二开口暴露的上表面上的端部。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述有机发光层在所述第二开口所限定的区域中覆盖所述第二像素电极。

13.如权利要求12所述的方法，其中形成所述第一堤部和所述第二堤部的步骤包括使用半色调掩模和相同材料同时形成所述第一堤部和所述第二堤部。

14.如权利要求11所述的方法，其中形成所述第二像素电极的步骤包括使用折射率与所述第一像素电极的材料的折射率不同的材料。

15.如权利要求11所述的方法，其中形成所述有机发光层的步骤包括向所述第二像素电极施加液体有机材料，并进行干燥。

16.如权利要求11所述的方法，其中形成所述第二像素电极的步骤包括使用ITO、IZO、ZnO、In₂O₃、IGO、以及AZO中的至少一种。

17.如权利要求16所述的方法，其中形成所述第二像素电极的步骤包括施加材料至厚度为100nm或更小。

18.如权利要求11所述的方法，其中形成所述第二像素电极的步骤包括使用金属材料。

19.如权利要求18所述的方法，其中形成所述第二像素电极的步骤包括施加材料至厚度为10nm或更小。