[发明专利]一种利用规则阵列结构减小金属二次电子发射系数的方法有效
| 申请号： | 201210215615.7 | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102795591A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 贺永宁;叶鸣;崔万照;王瑞;胡天存;黄光孙 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 规则 阵列 结构 减小 金属 二次电子 发射 系数 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用规则阵列结构减小金属二次电子发射系数的方法，其特征在于，包括如下步骤：对待处理金属样片依次进行超声清洗、旋转涂胶、烘烤、曝光、烘烤、显影处理；对进行上述处理过的样片在刻蚀液进行腐蚀，形成微米结构阵列，根据对金属表面的二次电子发射系数要求决定微米结构的深宽比或孔隙率，从而决定掩膜版图形设计及其刻蚀工艺参数；腐蚀完毕的样片进行去胶和超声清洗。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述金属是金、铜或铝。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括如下步骤：在腐蚀时，通过控制腐蚀液成分，实现微米级阵列结构及亚微米两级结构。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述微米结构为圆孔或者矩形槽结构。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：微米结构尺寸在几微米至几十微米。
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