[发明专利]一种用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺无效
| 申请号： | 201210215687.1 | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102738305A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 马桂艳;宋连胜;张东升 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223;C30B31/06;C30B31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏晓波;李丽 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶体 太阳能电池 生产 扩散 工艺 | ||
1.一种用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺，其特征在于，该工艺过程包括以下步骤：
S1、将含有磷源的气体通入一定温度的石英管内部，并维持预定时间以便所述磷源中的磷原子沉积于硅片上；
S2、通入预定量的含氧的气体于所述石英管内部，并维持预定时间以便于所述硅片表面形成氧化硅层；
S3、维持所述石英管于预定温度范围内一定时间以便步骤S1中所述磷原子向所述硅片的晶体硅层和所述氧化硅层双方向推进。
2.如权利要求1所述的用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺，其特征在于，在所述步骤S1中，所述磷源为POCl3，所述气体为氧气和氮气的混合气体。
3.如权利要求2所述的用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺，其特征在于，氧气的通入量的范围为300-1000sccm；氮气的通入量的范围为1000-2000sccm。
4.如权利要求2所述的用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺，其特征在于，在所述步骤S1中，通入气体后维持所述预定时间为10-20min。
5.如权利要求1所述的用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺，其特征在于，在所述步骤S2中，所述含氧的气体为氧气。
6.如权利要求5所述的用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺，其特征在于，氧气通入预定量的范围为1500-2000sccm。
7.如权利要求5所述的用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺，其特征在于，在所述步骤S2中，通入气体后维持时间为5-10min。
8.如权利要求1所述的用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺，其特征在于，在所述步骤S3中，预定温度范围为800-860摄氏度。
9.如权利要求8所述的用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺，其特征在于，维持硅片于预定温度范围内的时间范围为10-15min。
10.如权利要求1所述的用于晶体硅太阳能电池生产的磷扩散工艺，其特征在于，在所述步骤S2中，所述含氧的气体为氧气和水蒸气的混合气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
