[发明专利]一种调控硅表面太阳能吸收率的方法

权利要求书

1. 一种调控硅表面太阳能吸收率的方法，其特征在于，该方法是硅表面采用周期性凹形阶梯式亚波长光栅结构。

2.根据权利要求1所述的调控硅表面太阳能吸收率的方法，其特征在于，所述凹形阶梯式光栅结构由光栅单元阵列组成，每个光栅单元由至少二个光栅组成，各光栅的凹槽深度逐渐递减或者递增，光栅顶部保持水平。

3.根据权利要求2所述的调控硅表面太阳能吸收率的方法，其特征在于，各光栅单元中，相邻二个光栅的凹槽深度之差基本相等。

4.根据权利要求1、2或3所述的调控硅表面太阳能吸收率的方法，其特征在于，在所述光栅结构中，f/Λ为0.571至0.714，f为光栅结构的脊背的宽度，Λ为光栅的周期长度。