[发明专利]全息图以及形成全息图的方法无效
| 申请号： | 201210216906.8 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102854787A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·派洛特;埃里彻·霍普尔德瑟德 | 申请（专利权）人： | 索尼达德克奥地利股份公司 |
| 主分类号： | G03H1/02 | 分类号： | G03H1/02;G03H1/04;B42D15/10;G09F3/02 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 全息图 以及 形成 方法 | ||
1.一种全息图，其包括：
包含光敏层的全息图层，利用至少具有第一波长的光源形成在所述全息图层中的全息图结构，和
荧光材料，所述荧光材料被设计成吸收所述第一波长并且发射具有第二波长的光。
2.根据权利要求1的全息图，其中，所述第一波长等于所述第二波长。
3.根据权利要求1的全息图，其中，所述荧光材料包含在所述全息图层中。
4.根据权利要求1的全息图，其中，所述全息图结构包括具有相互不同折射率的区域。
5.根据权利要求1的全息图，还包括：
利用至少具有第三波长的光源形成在所述全息图层中的额外的全息图结构，和
额外的荧光材料，所述额外的荧光材料被设计成吸收所述第三波长并且发射具有第四波长的光。
6.根据权利要求1的全息图，还包括：
利用至少具有第三波长的光源形成在所述全息图层中的额外的全息图结构，其中所述荧光材料被进一步设计成吸收所述第三波长并且发射具有第四波长的光。
7.一种形成全息图的方法，所述方法包括：
将光敏层的一部分暴露于至少具有第一波长的光源，从而在所述光敏层中形成全息图结构；
选择荧光材料，所述荧光选择被设计成吸收所述第一波长并且发射具有第二波长的光；和
将所述荧光材料引入所述全息图中。
8.根据权利要求7的方法，所述方法还包括：使经曝光的光敏层显影，其中，在将经曝光的光敏层显影之后，所述荧光材料被引入所述光敏层中。
9.根据权利要求8的方法，其中，通过热转印方法将所述荧光材料引入所述光敏层中。
10.根据权利要求7的方法，其中，由于将所述光敏层的一部分曝光，所以在所述光敏层中形成具有不同折射率的部分。
11.根据权利要求7的方法，还包括：
通过将所述光敏层暴露于至少具有第三波长的额外光源来形成额外的全息图结构；
选择额外的荧光材料，所述额外的荧光材料被设计成吸收所述第三波长并且发射具有第四波长的光；和
将所述额外的荧光材料引入所述全息图中。
12.根据权利要求7的方法，还包括：
通过将所述光敏层暴露于至少具有第三波长的额外光源来形成额外的全息图结构，其中所述荧光材料被选择为进一步吸收所述第三波长并且发射具有第四波长的光。
13.一种装置，所述装置包含根据权利要求1至6中任意一项的全息图。
14.根据权利要求13的装置，所述装置是电子移动装置。
15.一种包装，所述包装包含根据权利要求1至6中任意一项的全息图。
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