[发明专利]便捷石墨舟

说明书

技术领域

本发明涉及真空镀膜设备技术领域，尤其是一种便捷石墨舟。

背景技术

PECVD是等离子体增强化学气相沉积技术的简称，其原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。石墨舟是其中的重要部件，直接影响到电场的分布、等离子的产生、气流的走向、膜的品质等。现有的石墨舟由于舟片紧凑，作业员在插、取硅片时会产生碎片的现象，影响了硅片镀膜生产效率。

发明内容

为了克服现有的石墨舟插、取硅片时易发生碎片现象，影响硅片镀膜生产效率的不足，本发明提供了一种便捷石墨舟。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种便捷石墨舟，包括舟体、舟片、支脚、上电极和下电极，舟片设置在舟体内，支脚安装在舟体底部，上电极和下电极分别位于舟体的上部和下部，舟片上设有缺口。

根据本发明的另一个实施例，进一步包括缺口为半圆形，位于舟片中央。

根据本发明的另一个实施例，进一步包括舟片均匀分布在舟体内腔。

本发明的有益效果是，在每一片舟片的同一位置设置半圆形缺口，为插、取硅片提供了方便，避免了破损，从而大大提高了硅片镀膜生产效率。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明的结构示意图。

图中1. 舟体，2. 舟片，3. 支脚，4. 上电极，5. 下电极，6. 缺口。

具体实施方式

如图1是本发明的结构示意图，一种便捷石墨舟，包括舟体1、舟片2、支脚3、上电极4和下电极5，舟片2设置在舟体1内，支脚3安装在舟体1底部，上电极4和下电极5分别位于舟体1的上部和下部，舟片2上设有缺口6。缺口6为半圆形，位于舟片2中央。舟片2均匀分布在舟体1内腔。

在每一片舟片2的同一位置设置半圆形的缺口6，为插、取硅片提供了方便，避免了破损，从而大大提高了硅片镀膜生产效率。