[发明专利]半导体装置及其制造方法、图像显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

在基材上形成栅极电极；

在所述基材和所述栅极电极上形成栅极绝缘层，其中，在所述栅极绝缘层的要形成沟道形成区域的区域形成有凹部；

基于涂布法在所述凹部内形成由有机半导体材料构成的所述沟道形成区域；以及

在所述栅极绝缘层上到所述沟道形成区域的一部分上形成源极电极/漏极电极。

2.一种半导体装置的制造方法，包括：

在基体的要形成沟道形成区域的区域形成凹部；

基于涂布法在所述凹部内形成由有机半导体材料构成的所述沟道形成区域；

在所述基体上到所述沟道形成区域的一部分上形成源极电极/漏极电极；

在所述沟道形成区域和所述源极电极/漏极电极上形成栅极绝缘层；以及

在所述沟道形成区域上的栅极绝缘层上形成栅极电极。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极绝缘层的所述凹部的表面的润湿性优于所述栅极绝缘层的所述凹部以外的区域的润湿性。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述基体的所述凹部的表面的润湿性优于所述基体的所述凹部以外的区域的润湿性。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，基于等离子蚀刻法形成所述凹部。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，水与所述栅极绝缘层的所述凹部的表面之间的接触角为1°到50°，并且水与所述栅极绝缘层的所述凹部以外的区域之间的接触角为70°到100°。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，水与所述基体的所述凹部的表面之间的接触角为1°到50°，并且水与所述基体的所述凹部以外的区域之间的接触角为70°到100°。

8.一种图像显示装置的制造方法，包括根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置的制造方法。

9.一种半导体装置，包括：

栅极电极，形成在基材上；

栅极绝缘层，形成在所述栅极电极和所述基材上；

沟道形成区域，设置在形成于所述栅极绝缘层中的凹部内，并由有机半导体材料构成；以及

源极电极/漏极电极，形成在所述栅极绝缘层上到所述沟道形成区域的一部分上，

其中，所述沟道形成区域的顶面从所述栅极绝缘层和所述凹部之间的边界向所述凹部的中央部分凹陷。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，在所述栅极绝缘层和所述凹部之间的边界处的所述沟道形成区域的顶面和所述栅极绝缘层的顶面之间的角度是1°至10°。

11.一种半导体装置，包括：

沟道形成区域，设置在形成于基体中的凹部内，并由有机半导体材料构成；

源极电极/漏极电极，形成在所述基体上到所述沟道形成区域的一部分上；

栅极绝缘层，形成在所述源极电极/漏极电极和所述沟道形成区域上；以及

栅极电极，形成在所述栅极绝缘层上，

其中，所述沟道形成区域的顶面从所述基体和所述凹部之间的边界向所述凹部的中央部分凹陷。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，在所述基体和所述凹部之间的边界处的所述沟道形成区域的顶面和所述基体的顶面之间的角度是1°至10°。