[发明专利]一种改进的晶体硅太阳电池二次印刷方法有效
| 申请号： | 201210218822.8 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102729666A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 黄国保 | 申请（专利权）人： | 陕西众森电能科技有限公司 |
| 主分类号： | B41M1/12 | 分类号： | B41M1/12;B41M1/26;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改进 晶体 太阳电池 二次 印刷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改进的晶体硅太阳电池二次印刷方法，其特征在于二次丝网印刷硅片正面电极的浆料为焊锡膏。
2.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池二次印刷方法，其特征在于一次丝网印刷硅片正面电极时细栅宽度为20-80微米。
3.如权利要求1或2所述的晶体硅太阳电池二次印刷方法，其特征在于二次丝网印刷硅片正面电极时细栅宽度比一次丝网印刷硅片正面电极时细栅宽度大5-50微米。
4.如权利要求1所述的晶体硅太阳电池二次印刷方法，其特征在于依次包括以下步骤：
(1)丝网印刷硅片背面主栅，烘干；
(2)丝网印刷硅片背面铝背场，烘干；
(3)翻面
(4)一次丝网印刷正面电极，烘干并烧结；
(5)二次丝网印刷正面电极；
(6)热熔。
5.如权利要求4所述的晶体硅太阳电池二次印刷方法，其特征在于所述的热熔是红外热熔或者热风热熔。
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