[发明专利]一个基岛上同一工位的双芯片或多芯片的封装工艺

权利要求书

1.一个基岛上同一工位的双芯片或多芯片的封装工艺，其特征是：采用一台封装设备上两个绑定头按如下步骤进行封装：

第一步预热：双芯片或多芯片分别放置在原材料框架上，原材料框架通过上料结构相对运行进入轨道温区，对芯片进行加热；

第二步点双锡点：加热后的芯片在设定坐标内移动，移动到位后分别对各芯片点双锡点；

第三步压膜：点双锡点后的芯片，压膜系统XY方向的伺服马达，根据人机交换界面，预先设计XY方向点坐标，实现芯片两次压膜，伺服马达向XY方向设定的坐标移动间距，实现两点或多点间的移动，完成压膜双点成型或单点成型；

第四步绑定芯片：利用热电偶实时监测轨道内的温度，并进行给定温度的补偿来保持工艺温度平稳冷却，冷却到温度300℃-350℃后，芯片成品收进全自动下料盒。

2.根据权利要求1所述的一个基岛上同一工位的双芯片或多芯片的封装工艺，其特征是：所述加热温度380℃-430℃；加热时间18s-35s。

3.根据权利要求1所述的一个基岛上同一工位的双芯片或多芯片的封装工艺，其特征是：所述点双锡点是通过供锡系统XY方向的伺服马达，根据人机交换界面，预先设计XY方向点坐标，伺服马达向XY方向设定的坐标点移动间距，通过此实现两点或者多点间的移动进行点双锡点。

4.根据权利要求1所述的一个基岛上同一工位的双芯片或多芯片的封装工艺，其特征是：所述点双锡点移动间距Y区域之内。

5.根据权利要求1所述的一个基岛上同一工位的双芯片或多芯片的封装工艺，其特征是：所述压膜双点成型或单点成型移动间距Y区域之内。

6.根据权利要求1所述的一个基岛上同一工位的双芯片或多芯片的封装工艺，其特征是：所述绑定芯片是绑定头结构利用真空拾取晶圆上的芯片，运送到A芯片或B芯片位置后绑定芯片，Y向电机运动至预先给定的位置，电磁阀破坏拾取真空，使芯片置于事先压膜后的基岛上。

7.根据权利要求1所述的一个基岛上同一工位的双芯片或多芯片的封装工艺，其特征是：所述第四步绑定芯片：冷却是通过热电偶检测轨道的实际温度，当温度低于设定温度时，通过加热对温度进行补偿，达到设定温度。