[发明专利]一种蓝光荧光有机发光二极管及其制备方法无效
申请号: | 201210219498.1 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN102738414A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 马东阁;张智强;刘一鹏;代岩峰;陈江山;王艳平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春应用化学研究所 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 陶尊新 |
地址: | 130022 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 荧光 有机 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种蓝光荧光有机发光二极管,包括:衬底、第一电极、发光单元和第二电极,所述的衬底、第一电极、发光单元和第二电极顺次连接,其特征在于,所述的发光单元包括发光层,所述的发光层是一种蓝光荧光染料掺杂由空穴传输型蓝光主体材料和电子传输型蓝光主体材料组成的混合双极主体而成的有机混合物。
2.根据权利要求1所述的一种蓝光荧光有机发光二极管,其特征在于,所述的蓝光荧光染料是反-1,2-二(2,2'-二对甲苯胺基-N-萘基-6,6'-)乙烯、对-双(对-氮,氮-二苯基-氨基苯乙烯)苯、芘、四叔丁基芘或对-双(对-氮或氮-二苯基-氨基苯乙烯)二苯中的任意一种,空穴传输型蓝光主体材料是10,10'-二(二联苯-4-基)-9,9'-双蒽,电子传输型蓝光主体材料是2-甲基-9,10-二(2-萘基)蒽。
3.根据权利要求1所述的一种蓝光荧光有机发光二极管,其特征在于,所述的发光单元还包括:空穴注入层、设置在空穴注入层上的p掺杂空穴传输层、设置在p掺杂空穴传输层上的空穴传输层、设置在发光层上的电子传输兼空穴阻挡层、设置在电子传输兼空穴阻挡层上的n掺杂电子传输层和设置在n掺杂电子传输层上的电子注入层。
4.根据权利要求3所述的一种蓝光荧光有机发光二极管,其特征在于,所述的p掺杂空穴传输层最高占据分子轨道能级小于5.4ev,n掺杂电子传输层的最低未占据分子轨道能级大于4.0ev,p掺杂空穴传输层最高占据分子轨道能级和n掺杂电子传输层的最低未占据分子轨道能级之差小于1ev。
5.根据权利要求3或4所述的一种蓝光荧光有机发光二极管,其特征在于,所述的p掺杂空穴传输层是金属氧化物掺杂空穴传输材料构成的。
6.根据权利要求5所述的一种蓝光荧光有机发光二极管,其特征在于,所述的空穴传输材料是N,N’-双(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺或4,4',4″-三(N-咔唑)三苯胺中的一种。
7.根据权利要求3或4所述的一种蓝光荧光有机发光二极管,其特征在于,所述的n掺杂电子传输层是由一种碱金属、碱土金属、碱金属的盐或者碱土金属的盐掺杂电子传输兼空穴阻挡层的材料构成的有机无机共混物。
8.根据权利要求7所述的一种蓝光荧光有机发光二极管,其特征在于,所述的电子传输兼空穴阻挡层是二(2-羟基苯基吡啶)合铍。
9.一种蓝光荧光有机发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:在衬底上形成第一电极;
步骤二:在所述的第一电极上形成发光单元;
步骤三:在所述的发光单元上形成第二电极;
所述的发光单元包括发光层,所述的发光层是一种蓝光荧光染料掺杂由空穴传输型蓝光主体材料和电子传输型蓝光主体材料组成的混合双极主体材料而成的有机混合物。
10.根据权利要求9所述的一种蓝光荧光有机发光二极管的制备方法,其特征在于,所述的蓝光荧光染料占混合双极主体材料的5wt%~40wt%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春应用化学研究所,未经中国科学院长春应用化学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210219498.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择