[发明专利]一种鳍式场效应管制作方法有效
| 申请号： | 201210219546.7 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103515215A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 制作方法 | ||
1.一种鳍式场效应管FinFET的制作方法，该方法包括：
提供一具有半导体衬底的晶片，所述半导体衬底的晶片器件面依次外延生长锗硅层和硅层；
光刻后刻蚀所述硅层形成鳍片，以所述锗硅层为刻蚀停止层；
形成包围所述鳍片的栅极结构和侧墙之后，以所述栅极和侧墙为遮蔽在所述鳍片上形成源极和漏极；
选择性刻蚀锗硅层，去除没有被所述鳍片、栅极结构以及侧墙覆盖的锗硅层部分以及所述源极和漏极下方的锗硅层部分；
在晶片器件面可流动化学气相沉积二氧化硅后，刻蚀去除所述鳍片表面、栅极结构顶部以及侧墙表面的二氧化硅部分。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为体硅或者绝缘层上硅SOI。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述锗硅层厚度范围是5纳米到50纳米，所述硅层厚度范围是10纳米到100纳米。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述选择性刻蚀锗硅层的刻蚀气体是三氟化氯ClF3气体，所述刻蚀气体的压强范围0.01毫巴mbar到0.5mbar。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀去除鳍片表面、栅极结构顶部以及侧墙表面的二氧化硅部分是湿法刻蚀。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构是栅氧化层和多晶硅栅极的层叠栅极组合，或者高介电系数绝缘层和金属栅极的层叠栅极组合，或者高介电系数绝缘层和虚拟栅极的层叠栅极组合。
7.一种鳍式场效应管FinFET的制作方法，该方法包括：
提供一具有半导体衬底的晶片，所在所述半导体衬底的晶片器件面依次外延生长锗硅层和硅层；
光刻后依次刻蚀所述硅层和硅锗层形成鳍片，以所述半导体衬底为刻蚀停止层；
形成包围所述鳍片的栅极结构和侧墙之后，以所述栅极和侧墙为遮蔽在所述鳍片上形成源极和漏极；
选择性刻所述鳍片下方的蚀锗硅层，至少去除所述源极和漏极下方的锗硅层部分；
在晶片器件面可流动化学气相沉积二氧化硅后，刻蚀去除所述鳍片表面、栅极结构顶部以及侧墙表面的二氧化硅部分。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述锗硅层厚度范围是5纳米到50纳米，所述硅层厚度范围是10纳米到100纳米。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述选择性刻蚀锗硅层的刻蚀气体是三氟化氯ClF3气体，所述刻蚀气体的压强范围是0.01毫巴mbar到0.5mbar。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀去除鳍片表面、栅极结构顶部以及侧墙表面的二氧化硅部分是湿法刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
