[发明专利]一种横向扩散场效应晶体管结构和制作方法

权利要求书

1.一种横向扩散场效应晶体管的制作方法，提供一半导体衬底，该方法包括：

制作用于定义阱区的第一版图；

制作用于定义漂移区的第二版图；

在半导体衬底上定义出有源区，通过刻蚀制作出浅沟槽隔离；

分别按照所述第一、第二版图在所述半导体衬底中制作阱区和漂移区，所述阱区和所述漂移区具有重叠区域；

在所述阱区和漂移区的上方制作栅极氧化层以及栅极多晶硅层；

在所述栅极多晶硅层侧壁形成侧墙；

在所述侧墙的两侧的所述阱区和漂移区中通过自对准离子注入分别形成源漏区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阱区和漂移区具有重叠区域的长度范围是大于零且小于所述阱区长度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阱区和漂移区具有重叠区域的长度是10纳米nm，20nm，30nm或者40nm。

4.一种横向扩散场效应晶体管结构，该结构包括半导体衬底、漂移区、阱区、源极、漏极和栅极，所述栅极位于所述半导体衬底上方，所述源极和漏极位于所述栅极两侧的半导体衬底中，所述漂移区和阱区位于半导体衬底中，其特征在于，所述漂移区和所述阱区具有重叠区域。

5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述重叠区域的长度范围是大于零且小于所述阱区长度。

6.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述重叠区域的长度是10nm，20nm，30nm或者40nm。