[发明专利]多晶硅在离子注入后的快速退火方法有效
| 申请号： | 201210219690.0 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103515224A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 平梁良 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;王忠忠 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 离子 注入 快速 退火 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种快速热退火方法，用于将晶圆上的多晶硅在离子注入掺杂后进行掺杂激活以获得预定电阻范围内的多晶硅层，其特征在于，在快速热退火的过程中，在向所述晶圆所处的快速热退火装置的腔室内通入氮气的同时，通入氧气以改善所述晶圆上的多晶硅的电阻的均匀性。
2. 如权利要求1所述的快速热退火方法，其特征在于，所述氮气与所述氧气的流量比范围为2:1至4000:1。
3. 如权利要求2所述的快速热退火方法，其特征在于，所述氮气与所述氧气的流量比大致为4000:1。
4. 如权利要求1或2所述的快速热退火方法，其特征在于，所述快速热退火的温度大于或等于900℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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