[发明专利]介质材料二次电子发射系数测量系统及测量方法

权利要求书

1.一种介质材料二次电子发射系数的测量系统，包括法拉第杯、脉冲电子枪，其中法拉第杯上设置有电子入射口，法拉第杯外的脉冲电子枪产生不同能量的入射电子并穿过所述电子入射口入射到筒内的待测量介质材料样品上，待测量介质材料样品背电极和地线之间电连接有自动调压电路以对样品表面电位进行实时补偿，使得样品表面电位相对于电子枪之间的电位差保持恒定，该调压电路的调压幅度由反馈控制电路实时控制，反馈控制信号通过采集样品背电极的接地电流信号，再根据充电电位与电流的关系通过积分电路得到一个调压控制信号，对调压幅度进行实时控制，从而保证样品的充电电位得到实时补偿，样品与自动调压电路的调压电源之间连接有电流探头以测量样品的净收集电流，法拉第杯也电连接有电流探头以测量法拉第杯的二次电子电流。

2.如权利要求1所述的测量系统，其中，待测量介质材料样品通过背面金属电极与调压电路电连接。

3.如权利要求2所述的测量系统，其中，上述金属电极优选为银电极或铜电极。

4.如权利要求1-3任一项所述的测量系统，其中，两探头分别串联有示波器，以存储和读取电流探头数据。

5.如权利要求1-3任一项所述的测量系统，其中，电子束的脉宽小于1ms。

6.一种利用权利要求1-5任一项所述的测量系统测量介质材料二次电子发射系数的方法，包括以下步骤：

a.开启脉冲电子枪，产生的电子束辐照样品即产生二次电子；

b.通过所述样品背面电极电连接的电流探头测量得到感应电流，该感应电流即入射电子电流I_o与二次电子电流I_se之差I₁＝I₀-I_se；

c.在正偏压下的法拉第杯2将样品发射的二次电子全部收集，并通过与其连接的电流探头测量得到二次电子电流I₂＝I_se；

d.通过I₁/(I₁+I₂)计算得到二次电子发射系数。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述电子束的脉宽小于1ms。